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      電子發燒友網>電子資料下載>電源技術>IGBT的基本結構和工作原理等資料合集說明

      IGBT的基本結構和工作原理等資料合集說明

      2020-09-10 | pdf | 0.77 MB | 次下載 | 4積分

      資料介紹

      　　本文檔的主要內容詳細介紹的是IGBT的基本結構和工作原理等資料合集說明包括了：IGBT 的基本結構，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應和安全工作區，IGBT 的驅動與保護技術，集成 IGBT 驅動電路 EXB841 l，EXB841 原理分析，使用 IGBT 中的注意事項和 EXB841 典型應用電路

      　　絕緣柵雙極晶體管本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國際電 工委員會 IEC ／ TC （ CO ） 13 3 9 文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。

      　　圖 2 － 53 所示為一個 N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N + 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。 N + 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的 P 型區（包括 P + 和 P 一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（ Subchannel region ）。而在漏區另一側的 P + 區稱為漏注入區（ Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成 PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。

      　　為了兼顧長期以來人們的習慣， IEC 規定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。

      　　現在，大電流高電壓的 IGBT 已模塊化，它的驅動電路除上面介紹的由分立元件構成之外，現在已制造出集成化的 IGBT 專用驅動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。

      ?

      IGBT 晶體管 驅動電路
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