1940年貝爾實驗室在研究雷達探測整流器時，發現硅存在PN結效應，1958年美國通用電氣（GE）公司研發出世界上第一個工業用普通晶閘管，標志著電力電子技術的誕生。

從此功率半導體器件的研制及應用得到了飛速發展，并快速成長為電子制造業的核心器件之一，還獨立成為電子電力學科。

鑒于功率半導體器件的綠色節能功能，因此被廣泛應用于幾乎所有的電子制造業，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網、軌道交通等。其中在新能源汽車和工業領域應用較多，需求穩定性也較強。

隨著智能電網、汽車電氣化等應用領域的發展，功率半導體器件逐漸往高壓、高頻方向發展，對應的產品測試也迎來更大的挑戰：

■功率半導體是多端口器件，需要多種儀表協同測試；

■功率半導體的漏電流越小越好，需要高精度的設備進行測試；

■功率半導體的電流輸出能力很強，測試時需要快速注入1000A級電流，并完成壓降的釆樣；

■功率半導體需要耐壓較高，一般從幾千到一萬伏不等，需要測量儀器具備高壓輸出和高壓下nA級漏電流測試的能力；

■由于功率半導體工作在強電流下，自加熱效應明顯，嚴重時容易造成器件燒毀，需要提供μs級電流脈沖信號減少器件自加熱效應；

■輸入輸出電容對器件的開關性能影響很大，不同電壓下器件等效結電容不同，C-V測試十分有必要。

KeysightB1506A

適用于電路設計的功率器件分析儀

可以幫助設計人員最大限度地提升最終產品價值和產品開發速度，是功率電路設計的一次革命性創新。

可以表征從基礎到尖端的應用：

B1506A功率器件分析儀可以提供完整的電路設計解決方案，幫助企業、高校以及研發單位功率半導體產品研發，實現對功率半導體的高效、安全的測試驗證。為研發、生產、失效分析等多個場景提供測試服務：

■廣泛的工作 I/V (1500 A，3000V) 、熱測試范圍 (-50°C至 +250°C)、快速脈沖生成能力和 nA 級以下的電流測量分辨率；

■強大的測試能力，涵蓋C/V，I/V，Qg，CV ，Rg，Ron, Ciss等參數；

■示波器視圖提供脈沖測量波形視覺驗證。

Chrent測試小案例

B1506A一招識別真假MOS管

網上教你分辨MOS管的教程那么多，這樣壕氣又精確到小數點的方法，你一定沒見過！

一位工程師在修大功率電源，網上買的MOS管裝上去就燒了，懷疑買到了假貨。

測試實驗室的同事路過，說他們剛好配了一臺先進的功率器件分析儀B1506A，配合不同模組，可以對MOSFET、IGBT等功率器件進行I/V測量和功率損耗的測量。

他們決定測試一下這個MOS管究竟“假”在哪里

測試步驟|STEP

第1步，將對照組MOS管插到測試夾具上，并蓋好蓋子

第2步，選擇I/V測試

第3步，設置器件類型為MOSFET，選擇ID-VGS，提前設置好集電極電壓和基極電壓

第4步，設置完畢后，開始測試

測試結果|RESULT

對照組MOS管測試結果：

在不同的VGS電壓下，最大電流輸出可達近1000A，與DATASHEET上的參數基本一致。

“假”MOS管測試結果：

在不同的VGS電壓下，電流輸出保持不變，最大電流輸出只到50A左右。所以這個器件有問題。

這個案例充分展示了B1506A大功率半導體參數分析儀的強大功能，不僅可以幫助工程師鑒別真假MOS管，還可以為他們提供準確的器件參數，幫助他們更好地進行電源維修和研發工作。