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磁珠應用不當引起的輻射超標

jf_pJlTbmA9 ? 來源:韜略科技EMC ? 作者:韜略科技EMC ? 2023-11-27 16:25 ? 次閱讀
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本文轉載自: 韜略科技EMC微信公眾號

一. 前言

產(chǎn)品內(nèi)部互聯(lián)連接器,磁珠/電容或者互聯(lián)線纜連接不當不僅僅會引起EMI問題,也會引起EMS問題。這是由于互聯(lián)的連接器處在高頻信號下,會形成相對較高的阻抗,當有一定的電流流過時,會在阻抗兩端形成高壓,高壓即會引起電壓驅動,形成共模輻射,也會降低系統(tǒng)的抗干擾能力,特別是對于噪聲容限比較小的系統(tǒng)。

wKgZomVdesqAM3txAABuCdfwbX0977.jpg

圖1

以上圖為例,正常系統(tǒng)中只有一個大地,當設備1需要通過大地形成回流時,那么之間的連接處將成為必經(jīng)之路,如果該通路阻抗較高,將會在此處形成一定數(shù)值的電壓,進而產(chǎn)生EMI和EMS問題。

產(chǎn)品內(nèi)部互聯(lián)設計應該考慮以下幾點:

(1)當有共模瞬態(tài)干擾電流流過互聯(lián)設備時,建議選用金屬外殼的連接器,電纜選用屏蔽電纜,并且連接器的金屬外殼跟線纜屏蔽層進行360°搭接,同時互聯(lián)的信號中“0”V工作地跟金屬外殼,線纜屏蔽層直接相連。這樣做的目的是引導共模電流從互聯(lián)連接器的金屬外殼和線纜的屏蔽層流過,避免流過互聯(lián)連接器或者互聯(lián)線纜中的高阻抗電纜而引起壓降;

(2)如果只采用非金屬外殼連接器和非屏蔽電纜,那么建議采用一塊額外的金屬板連接在互聯(lián)設備的兩端,通常可以借助產(chǎn)品現(xiàn)有的金屬殼體,同時將“0”V工作地跟金屬板直接連接。

(3)在(1),(2)方式都不可行的情況下,必須將所有互聯(lián)信號濾波處理,目的是避免干擾信號通過互聯(lián)連接器和電纜中的高阻抗形成壓降。

(4)當內(nèi)部電路有割地處理時,由于最終的必將有回流流到GND,該處的阻抗處理需要是小阻抗,如果有高阻抗電路設計,將會形成壓降;

二. 實際案例分析

1.現(xiàn)象描述

某產(chǎn)品在進行輻射實驗時,發(fā)現(xiàn)162MHz頻點超標,經(jīng)過前期研究發(fā)現(xiàn)是本身產(chǎn)品13.56MHz的12倍頻。

wKgaomVdesuAKRadAAHXf47Hyr8097.jpg

圖2

wKgZomVdes2AFpCyAAH03ohbwMM565.jpg

圖3

2.原因分析

當去掉其中一根未屏蔽線束電纜或者在該線纜上增加磁環(huán)時,發(fā)現(xiàn)該干擾信號幅值可以下降到限值以下。可以初步判斷該輻射跟該線束有關,但是通過分析發(fā)現(xiàn),該信號是模擬信號,且跟13.56MHz無關,而且測試其相關頻譜均是13.56MHz的倍頻。

我們已經(jīng)知道了干擾源是13.56MHz,但是需要知道干擾路徑在哪兒。通過頻譜分析儀發(fā)現(xiàn)綠色圈出處162MHz幅值很高。

wKgaomVdes6AJOODAAFkQYuhAvM184.jpg

圖4

wKgZomVdes-ACE-4AAEpIn02Pm0173.jpg

圖5

wKgZomVdetaANnoEAADJs48nYzc099.jpg

圖6

BAT_IN-為包含13.56MHz部分電路的數(shù)字GND,GND為其他模擬信號電路的GND,當有干擾電流(162MHz)流過該磁珠時,由于磁珠在該162MHz時阻抗將近800Ω,將會形成高壓。

wKgZomVdeteAACPSAAFtBz5F_X0751.jpg

圖7

將L3替換為兩顆1nf的電容,該電容在100MHz附件的阻抗僅為1Ω,我們復測RE實驗,發(fā)現(xiàn)可以通過該測試。

wKgaomVdetmAbDY3AARVe99TCec847.png

圖8

wKgaomVdetqAPRPaAAOVqgYkz3Q991.png

圖9

三. 總結

1.當接地回路作為回流必經(jīng)之路時,該接地阻抗必須很小,否則必將引起高壓;
2.當需要分割GND,特別是靜電防護時,我們往往會在金屬螺絲和PCB的GND上增加一顆0歐姆電阻,防止靜電干擾信號流入PCB板,但是該螺絲釘處會形成壓降,需要注意避免將一些易受干擾的信號靠近螺絲釘處,同時螺絲釘靠近金屬外殼,保證能量能夠快速釋放,降低耦合到PCB板的能量。

審核編輯 黃宇

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