開局一張圖：

這是某大廠的1200V SiC模塊，雖然規格書上只寫了標稱電流IDN=400V，但是觀察數據我們發現（敏感數據模糊處理），在800V母線電壓下，模塊依然能出到420A以上的有效電流，在400V母線電壓下，模塊有效電流甚至能出到500A以上。

這是因為功率器件的損耗包括導通過程產生的導通損耗，以及開關過程產生的開關損耗。開關損耗包括器件開通過程產生的開通損耗，以及關斷過程產生的關斷損耗。器件的功率損耗與導通電流、關斷電壓、開關頻率、占空比等因素相關。

來源：重慶大學 曾正

我們可以看到，功率MOSFET模塊的導通損耗和有效值Irms的平方成正比，開關損耗和電流平均值以及母線電壓Vdc成正比，同時也和開關頻率f成正比。但是我們又知道，在調制比m不變的情況下，平均值Iac和有效值Irms也是正比關系，因此我們也可以這么理解：MOSFET模塊的開關損耗和母線電壓，開關頻率以及輸出電流成正比。

在功耗相同的情況下，比如600V/470Arms，65℃冷卻水剛好可以把芯片發的熱量帶走，使得芯片溫度不超過150℃。如果我們想要增大輸出電流，那就可以有很多辦法了：

1：首先是降低母線電壓Vdc，很容易理解，輸出電流Irms和Vdc成反比，Vdc減小，自然可以讓輸出電流Irms增大。

2：降頻，也就是降低開關頻率f，畢竟輸出電流也是和頻率成反比的，頻率從15k降到10k，自然電流能提上去了，不過這樣做，可能會影響電機的工作，畢竟15k載波頻率的正弦波肯定是比10k的更平滑。

3：除了逆變器的電參數，降低冷卻水水溫也是一個辦法，比如把冷卻液溫度從65降到55℃，這樣帶走了更多的熱量，降低了芯片的溫度，使得芯片可以工作再更大電流區間而不用擔心過熱。

審核編輯：劉清