11月8日，以“存儲趨勢 智創芯生”為主題的2024存儲產業趨勢研討會 (MTS 2024) 在深圳隆重舉辦。

西安紫光國芯攜專業DRAM KGD解決方案、DRAM存儲產品等前沿存儲技術成果亮相，與行業伙伴共同探討未來存儲新趨勢。其中，新一代DDR5 RDIMM、512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產品為首次亮相。

西安紫光國芯作為國內領先的專業DRAM KGD解決方案提供商，產品應用在通信、穿戴、人工智能、物聯網、安防等眾多關鍵領域。

本次展出的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產品在進一步優化芯片尺寸的同時提升了主要性能指標，可廣泛應用于IPC、STB和汽車電子等市場，并已成功實現量產。

512Mb DDR2是采用先進工藝的第二代標準DDR KGD芯片，在工作電壓1.5V時可同步支持1333Mbps，能夠充分滿足視頻監控芯片的功耗和帶寬需求。

該款產品可助力IPC SoC客戶進一步提升其整體性能，完善國內供應鏈布局。

1Gb DDR3 KGD產品最高速度可達2133Mbps，在可靠性和穩定性方面表現更優，將為消費類、車規和工控市場帶來更具性價比的選擇。

依托近20年DRAM芯片研發經驗以及模組產品開發經驗, 西安紫光國芯開發的新一代DDR5 RDIMM產品在各項性能上得到了全面優化。

通過新一代內存技術，本款產品在容量、功耗、總線效率等方面有顯著提升，速度可達5600Mbps，滿足了企業級應用在性能和質量方面的更高要求，可為國產CPU平臺以及英特爾第5代至強可擴展處理器Emerald Rapids等平臺提供內存解決方案。

本次亮相的還有采用新一代工藝開發的1Gb DDR3顆粒產品。與上一代產品相比，芯片尺寸減少，最高速率提升至2133Mbps，工作電壓降低，支持DDR3L，產品力得到大幅提升。

該款產品還通過了包括JEDEC Timing、Qualification等多項嚴苛測試，擁有更完善的量產測試覆蓋率，進一步提升了產品性能并增強了可靠性，可滿足工業控制、電力、醫療、汽車電子等高端應用的嚴格要求。

半導體與存儲產業總是挑戰與機遇并存，作為以存儲技術為核心的產品和服務提供商，西安紫光國芯將繼續以科技創新為驅動，持續精耕細作，推出具有核心競爭力的產品和服務。


同時，在紫光集團“大研發、大制造、大市場”戰略部署下，期待與產業伙伴攜手推動存儲產業生態建設，賦能產業高質量發展。

審核編輯：劉清