CMOS器件的輸入信號上升時間或下降時間統稱為輸入轉換時間，輸入轉換時間過長也稱為慢CMOS輸入。如果輸入信號上升時間過長，超過器件手冊允許的最大輸入轉換時間，則有可能在器件內部引起大的電流浪涌，造成器件損壞或引起器件輸出電平翻轉（輸入原本為0，輸出為1；或者相反情況）。

1.慢CMOS輸入或浮空CMOS輸入的特征

CMOS和BiCMOS系列器件都有一個CMOS輸入結構。該結構是一個反相器（包括連接VCC的一個p溝道晶體管和連接GND的一個n溝道晶體管），如圖1所示。

備注：圖1中的ABT器件采用BiCMOS技術，Q1是雙極晶體管，Qp和Qn是CMOS管子，ABT器件的輸入為CMOS反相器（又叫倒相器、非門（NOT gate，非電路）和邏輯否定電路）；關于CMOS反相器，參見文檔《CMOS功耗和Cpd計算》。

當輸入為低電平，p溝道晶體管導通，n溝道晶體管截止，電流從VCC流出，節點被拉高；當輸入為高電平，p溝道晶體管截止，n溝道晶體管導通，電流流入GND，節點被拉低。在兩種情況下，沒有電流從VCC流到GND。然而，當從一個狀態轉換到另一個狀態時，輸入穿過閾值區域，使得n溝道晶體管和p溝道晶體管同時導通，在VCC與GND之間形成電流路徑。該電流浪涌可能是破壞性的，它取決于輸入在閾值區域（0.8~2V）的時間長度。每個輸入的供電電流（ICC）能夠升到幾mA，ICC在輸入（VI）約為1.5V時最大，見圖2。

備注：當輸入穿過閾值區域，在VCC與GND之間的電流路徑也叫直通電流，直通電流會造成器件的瞬態功耗，詳情參見文檔《CMOS功耗和Cpd計算》。從圖2中看出，當輸入電壓在閾值區域內（0.8~2V）時，供電電流存在浪涌。

當開關狀態在數據手冊指定的輸入轉換時間限值內時，電流浪涌不是問題。對于具體器件，在數據手冊的推薦工作條件表中指定輸入轉換時間限值，例子如圖3所示。

2.慢輸入沿率

隨著速度增加，邏輯器件已經對慢輸入沿率更敏感。慢輸入沿率與噪聲（當輸出開關時，在電源上產生）一起能夠引起大量輸出錯誤或振蕩。如果沒有用到的輸入管腳懸空或者未保持在一個有效的邏輯電平值，類似現象也能夠發生。

這些功能問題是由在器件電源系統引起的電壓瞬態造成的，在開關過程中，當輸出負載電流（IO）流過寄生引線電感時產生電壓瞬態，見圖4。

因為器件的內部電源節點用作整個集成電路的電壓參考，感應電壓尖峰VGND影響出現在內部門結構的信號方式【指VI′=VI-VGND】。例如，當器件地節點的電壓升高時，輸入信號VI′看起來在幅度上減小。如果發生閾值違背(指輸入信號原本為高電平，由于VI′小于器件輸入端高電平的閾值VIH，造成輸出錯判為低電平；反之亦成立)，這種不期望現象隨后能夠錯誤地改變輸出。

對于一個慢的輸入上升沿，如果在GND的電壓變化足夠大【VGND】，器件的相對輸入信號VI′看起來被驅動返回穿過輸入閾值區（0.8~2V），輸出開始從相反方向開關(指0變成1，1變成0)。如果最壞情況（所有輸出同時開關，造成瞬態負載電流較大）頻繁發生(參見圖2和圖3)，慢輸入沿被重復地驅動返回穿過閾值區，引起輸出振蕩。因此，不應該違背器件的最大輸入轉換時間，也就不會造成對電路或外部封裝的損壞。