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局部對稱畸變引起熱電層狀氧硒化物的異常熱輸運(yùn)

鴻之微 ? 來源:鴻之微 ? 2023-10-24 11:09 ? 次閱讀
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01引言

NaxCoO2和Ca3Co4O9等層狀氧化物具有熱力學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性、環(huán)境友好和生態(tài)友好等優(yōu)點(diǎn),克服了傳統(tǒng)氧化物導(dǎo)熱率高和載流子遷移率低的缺點(diǎn),使其成為中高溫?zé)犭姂?yīng)用的有前途的候選者(Mater. Today29, 68–85, 2019)。層狀氧硒化物,如BiCuSeO、Bi2O2Se和最新報(bào)道的Bi2LnO4Cu2Se2(Ln是鑭系元素),由于其易于調(diào)節(jié)的熱輸運(yùn)和電輸運(yùn)特性,特別是熱導(dǎo)率,可以實(shí)現(xiàn)數(shù)量級式的降低(Mater. Today29, 68–85, 2019;Adv. Funct. Mater.32, 22146, 2022;Science373, 1017–1022, 2021),因此作為熱電材料受到了廣泛關(guān)注。因此,研究這種具有高度可調(diào)熱導(dǎo)率的本征體系的熱電輸運(yùn)微觀機(jī)制具有重要意義。

在層狀氧硒化物家族中,與LaCuCh(S/SeTe)O和Bi2O2Se相比,BiCuSeO一直是學(xué)界關(guān)注的焦點(diǎn),主要?dú)w因于其獨(dú)特的電學(xué)性能和超低導(dǎo)熱率(Energy Environ. Sci.7, 2900–2924, 2014)。對于本征BiCuSeO和BiAgSeO,由于制備技術(shù)的不同,室溫下的熱導(dǎo)率大致在~0.5到~1 W m?1K?1之間變化。眾所周知,實(shí)驗(yàn)測量的熱導(dǎo)率受到樣品、合成和測量技術(shù)的影響。因此,比較這兩個(gè)體系之間的實(shí)驗(yàn)值并不嚴(yán)謹(jǐn),而付諸于嚴(yán)格精確的理論計(jì)算可較好地進(jìn)行熱電輸運(yùn)微觀機(jī)制的理解。

02成果簡介

多面體畸變與原子排列和原子間相互作用密切相關(guān),驅(qū)動(dòng)了固體中許多獨(dú)特的行為,如相變和負(fù)熱膨脹。在熱電異質(zhì)陰離子氧化物中,陰離子多面體廣泛存在,但很少研究它們對熱傳輸?shù)挠绊憽T谶@里,我們通過基于第一性原理計(jì)算的Boltzmann輸運(yùn)方程的求解,報(bào)道了層狀氧硒化物中由局部對稱畸變引起的異常熱傳導(dǎo)。有趣的是,我們發(fā)現(xiàn)較輕的BiCuSeO比較重的BiAgSeO表現(xiàn)出更低的熱導(dǎo)率。由于CuSe4和AgSe4四面體的畸變程度不同,Cu傾向于平面內(nèi)振動(dòng),而Ag更傾向于平面外振動(dòng)。因此,由Cu的嘎嘎聲振動(dòng)主導(dǎo)的載熱聲子被顯著抑制,導(dǎo)致BiCuSeO的熱導(dǎo)率較低。這項(xiàng)研究強(qiáng)調(diào)了多面體畸變在調(diào)節(jié)層狀異陰離子材料熱傳導(dǎo)中的重要性。

03圖文導(dǎo)讀

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圖1 a具有代表性熱電氧化物材料的熱導(dǎo)率比較;b和c分別為晶體結(jié)構(gòu)的正視與側(cè)視圖

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圖2 BiCuSeO和BiAgSeO的聲子輸運(yùn)性質(zhì). a計(jì)算的熱導(dǎo)率與實(shí)驗(yàn)報(bào)道的比較;b沿a軸的歸一化累積熱導(dǎo)率;c和d分別為聲子色散譜和聲子弛豫時(shí)間

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圖3 BiCuSeO和BiAgSeO與弛豫時(shí)間對應(yīng)的原子振動(dòng)分析. a三階力常數(shù);b三聲子散射通道;c Cu和Ag的各向異性聲子態(tài)密度;d Cu和Ag的各向異性原子均方熱位移

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圖4 BiCuSeO和BiAgSeO電子能帶結(jié)構(gòu)分析. a兩種結(jié)構(gòu)的電子能帶結(jié)構(gòu)對比;b分波態(tài)密度對比

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圖5 BiCuSeO和BiAgSeO的電子能帶結(jié)構(gòu)和化學(xué)成鍵. a和b分別為二者的投影分波能帶信息;c成鍵分析;d晶體場和波函數(shù)分析

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圖6局部對稱畸變致各向異性熱振動(dòng). a和b分別為CuSe4和AgSe4四面體;c四面體扭轉(zhuǎn)程度致鍵強(qiáng)降低;d四面體扭轉(zhuǎn)程度致各向異性熱振動(dòng)比率下降

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圖7 BiCuSeO和BiAgSeO的電輸運(yùn)性質(zhì). a電導(dǎo)率;b Seebeck系數(shù);c功率因子;d熱電優(yōu)值

04小結(jié)

本課題主要利用了鴻之微的第一性原理平面波計(jì)算軟件DS-PAW進(jìn)行了晶體結(jié)構(gòu)圖的繪制,電子能帶結(jié)構(gòu)、投影分波電子能帶、分波電子態(tài)密度等性質(zhì)的計(jì)算和分析;結(jié)合相關(guān)軟件進(jìn)行了熱輸運(yùn)性質(zhì)的分析。通過電熱輸運(yùn)的結(jié)合,解釋了BiCuSeO和BiAgSeO中的異常熱傳導(dǎo)。這兩種材料的主要區(qū)別在于CuSe4和AgSe4四面體的局部結(jié)構(gòu)畸變。較小的畸變CuSe4為Cu提供了較大的三階原子間力常數(shù)和平面內(nèi)位移,從而在聲子色散(DOS)中產(chǎn)生兩個(gè)平坦帶(局域峰)。這種聲子行為保持超低的群速度,并通過豐富的aoo和ooo散射通道強(qiáng)烈散射載熱聲子,從而降低BiCuSeO中的熱導(dǎo)率。這些結(jié)果通過連接離子、鍵合、異質(zhì)層和傳輸特性揭示了超低熱導(dǎo)率的微觀機(jī)制,為探測類似系統(tǒng)中的異常熱導(dǎo)率提供了新的見解,也為調(diào)節(jié)相關(guān)材料的熱電性能提供了參考。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:文獻(xiàn)賞析︱局部對稱畸變引起熱電層狀氧硒化物的異常熱輸運(yùn)(魏賓)

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