獲3500萬美元，格芯加速氮化鎵芯片

據(jù)外媒報道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產(chǎn)超過5萬片晶圓。

格芯生產(chǎn)的GaN芯片在處理高溫和高壓的優(yōu)良表現(xiàn)，可以大幅改良手機、汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）以及電網(wǎng)和其他關(guān)鍵基礎設施在5G、6G通訊方面的性能和效率。

其中，美國國防部資助的這3500萬美元中的一部分，格芯計劃購買更多的設備以擴展開發(fā)和設計的能力，加快其大規(guī)模生產(chǎn)8英寸GaN-on-Si晶圓的進度。另一部分，格芯將用來減少自身以及客戶受鎵供應鏈限制的風險，同時提高美國制造的GaN芯片的開發(fā)速度、供應保證和競爭力。

此次投資建立在格芯與政府多年合作的基礎上——2020-2022年期間政府資助了格芯4000萬美元（折合人民幣約2.93億元）。格芯的研發(fā)團隊擁有著8英寸晶圓制作的相關(guān)經(jīng)驗，可助力8英寸GaN-on-Si晶圓的制造。

“GaN-on-Si是新興市場高性能射頻、高壓電源開關(guān)和控制應用技術(shù)的理想載體，對于6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車非常重要。”總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield博士評論，“格芯與美國政府有著長期的合作伙伴關(guān)系，這筆資金對加速GaN-on-Si芯片批量生產(chǎn)至關(guān)重要。這些芯片將使我們的客戶能夠?qū)崿F(xiàn)大膽的新設計，突破我們?nèi)粘Ｒ蕾嚨年P(guān)鍵技術(shù)的能源效率和性能極限。”

與傳統(tǒng)GaN-on-SiC等技術(shù)路線相比，GaN-on-Si選用的襯底成本與可靠性有顯著優(yōu)勢，GaN外延生長缺陷也顯著降低。

格芯（GF）是世界領(lǐng)先的半導體制造商之一。格芯正在通過開發(fā)和提供功能豐富的工藝技術(shù)解決方案來重新定義半導體制造，這些解決方案可在普遍的高增長市場中提供領(lǐng)先的性能。






審核編輯：劉清