兆易創(chuàng)新科技有限公司對(duì)“一種NAND閃存芯片的測(cè)試樣本”申請(qǐng)專利（專利稅公告為10月10日，專利稅公告為cn108242252b。

根據(jù)專利摘要，本發(fā)明實(shí)際公開了nand閃存芯片的測(cè)試樣本，測(cè)試樣本由多個(gè)相同的樣本區(qū)域組成，每個(gè)樣本區(qū)域包含多個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個(gè)數(shù)據(jù)塊會(huì)測(cè)試不同的擦除次數(shù)。在多個(gè)相同的樣本區(qū)域中，任意兩個(gè)相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。

該發(fā)明實(shí)施例多個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)塊構(gòu)成對(duì)區(qū)域的其他音次數(shù)的測(cè)試樣品，樣品測(cè)試在一定的間隔均勻地分布在同一樣本區(qū)域團(tuán)芯片實(shí)現(xiàn)多種擦寫次數(shù)的測(cè)試測(cè)試不僅降低了成本，同時(shí)另一個(gè)擦寫的普及次數(shù)測(cè)試nand閃存的基本性能進(jìn)行評(píng)價(jià)。