電子發燒友網報道（文/李彎彎）近期，各大視頻平臺瘋傳一條消息，稱清華大學EUV項目，把ASML的***巨大化，實現了***國產化，并表示這個項目已經在雄安新區落地，還在視頻中配了下面這張圖，表示圖片中的項目就是光刻廠。



中國電子院對此回應稱，該圖片中的項目并不是國產***工廠，而是北京高能同步輻射光源項目（HEPS）。該項目坐落于北京懷柔雁棲湖畔，是國家“十三五”重大科技基礎設施，它是我國第一臺高能量同步輻射光源，也是世界上亮度最高的，第四代同步輻射光源之一，早在2019年就開始建設，將于2025年底投入使用。

清華大學SSMB為EUV光源提供思路

***是生產大規模集成電路的核心設備，制造和維護需要高度的光學和電子工業基礎，世界上只有少數廠家掌握。***的作用是掃描曝光芯片晶圓，刻蝕集成電路。精度越高的***，能生產出納米尺寸更小，功能更強大的芯片。

而小于5nm的芯片晶圓，只能用EUV***生產。目前，荷蘭ASML掌握了90%以上的高端***市場份額。最新的兩代高端***領域，即浸入式（Immersion）和極紫外線式（EUV）***，全部由ASML掌握核心技術。

在當前的國際貿易形勢下，國產***技術亟待突破。然而EUV***有幾個技術難點，一是EUV光源系統，二是光學鏡頭，三是雙工件臺系統。今天這篇文章我們主要談談光源，光刻對EUV光源要求很高，要有很高的功率，同時還必須要是穩定均勻的，很難做到。

很多人將“北京高能同步輻射光源項目”誤認為是“清華大學EUV項目”，而且能夠在網絡上瘋傳，很大的原因在于，人們太過迫切地希望國產***實現突破，而EUV光源的突破是其中的關鍵技術之一。

事實上，清華大學確實在這方面有所進展。2021年，清華大學工程物理系教授唐傳祥研究組與來自亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心（HZB）以及德國聯邦物理技術研究院（PTB）的合作團隊在《自然》（Nature）上發表了題為“穩態微聚束原理的實驗演示”（Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching）的研究論文，報告了一種新型粒子加速器光源“穩態微聚束”（Steady-state microbunching，SSMB）的首個原理驗證實驗。

基于SSMB原理，能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射，波長可覆蓋從太赫茲到極紫外（EUV）波段，有望為光子科學研究提供廣闊的新機遇。

SSMB概念最早由斯坦福大學教授、清華大學杰出訪問教授趙午與其博士生Daniel Ratner于2010年提出。趙午持續推動SSMB的研究與國際合作。2017年，唐傳祥與趙午發起該項實驗，唐傳祥研究組主導完成了實驗的理論分析和物理設計，并開發測試實驗的激光系統，與合作單位進行實驗，并完成了實驗數據分析與文章撰寫。

唐傳祥表示，“SSMB光源的潛在應用之一是作為未來EUV***的光源。”大功率的EUV光源是EUV***的核心基礎。唐傳祥介紹說：“大功率EUV光源的突破對于EUV光刻進一步的應用和發展至關重要。基于SSMB的EUV光源有望實現大的平均功率，并具備向更短波長擴展的潛力，為大功率EUV光源的突破提供全新的解決思路。”

可以看到，清華大學的SSMB光源確實可以為EUV***光源提供解決思路，然而從當時的情況來看，該研究還只是完成實驗驗證。清華大學也在積極支持和推動SSMB EUV光源在國家層面的立項工作。清華SSMB研究組已向國家發改委提交“穩態微聚束極紫外光源研究裝置”的項目建議書，申報“十四五”國家重大科技基礎設施。

目前該項目的具體進展情況并未對外公布，不過可以肯定的是，最近網絡上流傳的那張圖片，并不是清華SSMB的項目，而是北京高能同步輻射光源項目（HEPS）。

同步輻射光源能否用于EUV光刻

那么，北京高能同步輻射光源項目（HEPS）是干嘛用的呢？它跟***有沒有關系？根據中國電子院的介紹，它的作用是通過加速器，將電子束加速到6GeV，然后注入周長1360米的儲存環，用接近光速的速度保持運轉，電子束在儲存環的不同位置，通過彎轉磁鐵或者各種插入件時，就會沿著偏轉軌道切線的方向，釋放出穩定、高能量、高亮度的光，也就是同步輻射光。



同步輻射光源是指產生同步輻射的物理裝置，它是一種利用相對論性電子（或正電子）在磁場中偏轉時產生同步輻射的高性能新型強光源。電子同步加速器的出現，特別是電子儲存環的發展，推動了同步輻射的廣泛應用。同步輻射的早期研究是在電子同步加速器上進行的，有人把它稱為第零代光源。

人們從上世紀40年代開始制造并利用同步輻射光源，服務于物理、化學、生命科學、醫學等領域。數十年間，同步輻射光源不斷升級。大家可能知道的上海光源（Shanghai Synchrotron Radiation Facility，簡稱 SSRF），是一臺高性能的中能第三代同步輻射光源。

工程包括三大加速器，分別是一臺150MeV的電子直線加速器、一臺能在0.5秒內把電子束能量從150MeV提升到3.5GeV的全能量增強器和一臺周長432米的3.5GeV高性能電子儲存環，由中國科學院上海應用物理研究所承擔建造。上海光源位于上海浦東張江高科技園區，工程于2004年12月25日動工，于2009年4月完成調試并向用戶開放。

如今，北京懷柔的高能同步輻射光源項目（HEPS），是第四代同步輻射光源，它將是中國擁有的第一臺高能量同步輻射光源。簡單的說，HEPS可以看成是一個超精密、超高速、具有強大穿透力的巨型X光機，它產生的小光束可以穿透物質、深入內部進行立體掃描，從分子、原子的尺度，多維度地觀察微觀世界。HEPS是進行科學實驗的大科學裝置。



那么同步輻射光源是否能夠用于EUV光刻呢？清華大學去年在物理學報刊登的一篇綜述里，列出了幾類光源的特點：LPP，即laserproduced plasma，激光等離子體EUV 光源，荷蘭ASML采用的就是這種光源；SR，同步輻射，其特點是技術成熟，但EUV光功率達不到EUV光刻大規模量產需求；還有SRF-FEL，這是基于超導直線加速器技術的高重頻FEL，和上文提到的清華大學研究的SSMB光源。

可以看到，同步輻射用于EUV光刻，它有一個很明顯的問題在于功率達不到大規模量產需求。事實上，此前也有廠商在做同步輻射光刻的的研究，比如英特爾，然而都只是停留在研究的階段，從原理上來說，同步輻射確實可以用于光刻，然而同步輻射通常是超大的科學裝置，要將其在世界各地的工廠中實現商用，卻存在難度。

總結

過去幾年，我國半導體產業發展迅速，然而在***的技術突破上卻存在難度，這也成了舉國上下關注的焦點，因此一有風吹草動便在網絡上引起“轟動”。比如，這次誤將“北京高能同步輻射光源項目（HEPS）”傳成“光刻廠”事件。雖然我們熱切期待進展，但是面對網絡上還未證實的消息，仍需理性對待。

值得一提的是，經過這些年的努力，事實上，國產EUV***在光源系統、光學鏡頭、雙工件臺系統這三大技術難關上，都取得了一定的研究進展。就比如光源，除了上述提到的清華大學SSMB的研究，今年4月長春光機所還展示了EUV光源樣機，這相當于是等驗收就能交付客戶使用了。相信隨著各項技術的逐個突破，國產EUV***會比預想的更早來到。