來源:BUSINESS WIRE
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StratEdge公司將在多個近期活動中展示其高熱效率的后燒制和模制陶瓷半導體封裝系列,包括于9月19日至21日舉行的歐洲微波周(EuMW)、于10月3日至4日舉辦的IMAPS International以及10月16日至17日舉行的IEEE BCICTS。StratEdge封裝可散發氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和碳化硅(SiC)等化合物半導體器件的熱量,工作頻率范圍從DC至63+ GHz。這些封裝可在較寬的頻率范圍內提供超低損耗性能,具體取決于樣式和安裝配置。許多開放式工具設計都具有50歐姆阻抗,這為封裝高性能半導體提供了便利和輕松。
StratEdge全球銷售副總裁Casey Krawiec強調說:“我們采用具有激光切割功能的后燒制陶瓷來控制嚴格的公差、可散熱的熱增強型金屬底座以及可提供極低電損耗的電氣轉換設計。為了進一步優化性能,StratEdge Assembly Services可以在配備最新精密引線鍵合和芯片連接系統的新潔凈室中封裝器件。”
審核編輯 黃宇
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