基本半導體第二代碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。

目前充電樁電源模塊主打的是40mR/1200V碳化硅MOSFET分立器件，適合充電樁電源模塊DCDC階段的LLC/移相全橋的應用，SiC MOSFET解DCDC的電路比傳統的超結的復雜拓撲來解要有成本優勢。基本半導體碳化硅MOSFETB2M040120Z可替代英飛凌IMZA120R040M1H、安森美NTH4L040N120M3S以及科銳C3M0040120K、意法SCT040W120G3-4AG用于充電樁電源模塊DCDC階段的LLC/移相全橋電路。

B2M040120Z性能參數及封裝

相比上述品牌型號，B2M040120Z的Coss更小（115pF），抗側向電流觸發寄生BJT的能力更強，體二極管的Vf和trr的優勢明顯，能減少LLC里面Q2的硬關斷的風險。綜合來看，B2M040120Z在LLC/移相全橋型電源應用中的表現會更好。

基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點：

更低比導通電阻：通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。

更低器件開關損耗：器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

更高可靠性：通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。

更高工作結溫：工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。

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