鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數據，特別適合在那些對寫入時間和次數有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統中的應用。

鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優點眾多：非易失性，寫入速度快，無限次寫入，最關鍵是用一個鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個不同的存儲器，統一的存儲器架構使用戶在成本和靈活性上獲益。

例如在設計的碳控儀系統中，由于對控制碳勢適時性的要求較高，而且系統由2個子系統構成，每個子系統都要頻繁讀寫存儲器，所以把原來的存儲器換成鐵電存儲器才得以滿足系統要求。

傳感器網一般都在室外或野外，電源條件差，功耗要求苛刻，最好能一塊電池支持設備整個生命周期，來從外界采集能量。而且實時采集到的更多數據要求內存擦寫次數更多，對FLASH的壽命是個挑戰，而鐵電讀寫速度比閃存提升100倍，而功耗節省250倍。

鐵電存儲器PB85RS2MC性能特征：

?容量：2M bit，接口類型：SPI接口(模式0和模式3)

?工作電壓：2.7伏至3.6伏，工作頻率：25兆赫茲

?功耗：4.8毫安（25兆赫茲），待機功耗9微安

?高速讀特性：支持40MHz高速讀命令

?工作環境溫度范圍：-40℃至85℃

?封裝形式：8引腳SOP寬體208mil封裝，符合RoHS

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