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30V超低內阻mos管系列,鋰電池專用mos管方案

深圳市驪微電子科技 ? 2022-08-30 13:54 ? 次閱讀
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30V超低內阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N溝道增強型功率MOS場效應晶體管,采用士蘭的LVMOS工藝技術制造。具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。

2fda202f21794c1a8ddde333d2ea15d9~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=dRYPKR2tD81PSqUqV9u%2BFmh9brs%3D

30v大電流mos管SVG030R7NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:282A,導通電阻RDs(on)(典型值)=0.7mΩ@VGs=10V,具有低柵極電荷、快關速度快、低反向傳輸電容等特點。

4f7d90e8945b40b28be97cd8eb39b9d3~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=p165BP%2BOfib0lmMefZmJSHUH25Y%3D

30V低壓mos管SVG031R1NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:229A,導通電阻RDs(on)(典型值)=1.1mΩ@VGs=10V。

8ff5b2520dac42c6be70b4889a2fb6b8~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=w1uU%2BFbeeWhCqOYiWTY9E2tfyZA%3D

30v貼片mos管SVG031R7NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:138A,導通電阻RDs(on)(典型值)=1.7mΩ@VGs=10V。

9b7c978f19ba44dd8d6746c79e7a87e4~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=H6dhAs%2BNVnLp1m%2BslGlRa8kYlGI%3D

耐壓30v mos管SVG032R4NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:100A,導通電阻RDs(on)(典型值)=2.4mΩ@VGs=10V。

d51a2d4fc2114f8fa50504881234e4ca~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=ndeiCVfnIUIN1EQqqqr0TcobPzU%3D

30V超低內阻mos管系列均采用PDFN-8-5X6封裝,并已大批量量產,典型應用于電源市場同步整流、小功率電機/電動工具、電子煙、鋰電分容柜等不間斷電源及逆變器系統的電源管理領域,更多MOS管產品手冊、參數等資料請向士蘭微代理驪微電子申請。>>

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