透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱TEM)，是一種以電子束為光源的基于電子顯微學的微觀物理結構分析技術，分辨率最高可以達到0.1nm左右。TEM技術的出現，大大提高了人類肉眼觀察顯微結構的極限，是半導體領域必不可少的顯微觀察設備，也是半導體領域工藝研發、量產工藝監控、工藝異常分析等不可缺少的設備。

TEM在半導體領域具有非常廣泛的用途，如晶圓制造工藝分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、鍍膜及刻蝕等半導體工藝分析等等，客戶群體遍布晶圓廠、封裝廠、芯片設計公司、半導體設備研發、材料研發、高校科研院所等。

TEM技術團隊能力介紹

廣電計量的TEM技術團隊由陳振博士牽頭，團隊技術骨干的相關行業經驗均在5年以上，不僅具有豐富的TEM結果解析經驗，還具有豐富的FIB制樣經驗，具備7nm及以上先進制程晶圓的分析能力及各種半導體器件關鍵結構的解析能力，目前服務的客戶遍布國內一線的晶圓廠、封裝廠、芯片設計公司、高校科研院所等，并受到客戶廣泛的認可。

設備能力介紹

TEM設備

TEM型號：Talos F200X 參數

電子槍：X-FEG

200Kv時亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]

EDS探頭型號：Super-X

HRTEM信息分辨率：0.12 nm

HRSTEM分辨率：0.16 nm

TEM樣品制備設備DB FIB

DB FIB型號：Helios 5 CX 參數

離子源：液態鎵離子源

EDS探頭型號/有效活區面積：Ultim Max65/65mm2

離子束分辨率：2.5 nm@30Kv

電子束分辨率：1.0 nm@1.0 Kv,0.6nm@15Kv

TEM服務項目介紹

關于陳振博士

陳振 無錫廣電計量副總經理

復旦大學材料物理專業博士，上海市“科技創新行動計劃”技術平臺負責人，無錫市發展改革研究中心決策咨詢專家，南京大學和西安電子科技大學碩士研究生兼職導師，上海“菊園工匠”、“嘉定技術能手”，負責的先進制程芯片檢測項目入選“上海市十大檢驗檢測創新案例”。

曾參與國家重點研發計劃項目2項，國家自然基金面上項目3項，國外高水平期刊發表SCI論文8篇，申請發明專利1項，出版光電傳感器英文論著1部。