在半導體行業中，Bump、RDL、TSV、Wafer合稱先進封裝的四要素，其中Bump起著界面互聯和應力緩沖的作用。

Bump從倒裝焊FlipChip出現就開始普遍應用，Bump的形狀有多種，最常見的為球狀和柱狀，也有塊狀等其他形狀，下圖所示為各種類型的Bump。

Bump起著界面之間的電氣互聯和應力緩沖的作用，從Bondwire工藝發展到FlipChip工藝的過程中，Bump起到了至關重要的作用。隨著工藝技術的發展，Bump的尺寸也變得越來越小,從最初 Standard FlipChip的100um發展到現在最小的5um。

伴隨著工藝技術的高速發展，對于Bump的量測要求也不斷提高，需要把控長寬尺寸，高度均勻性，亞納米級粗糙度、三維形貌等指標。

以粗糙度指標為例，電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差，所以鍵合前需要對其表面進行平坦化處理，如化學機械拋光(CMP)，使得鍵合時Cu 表面能夠充分接觸，實現原子擴散，由此可見把控Bump表面粗糙度是必不可缺的過程。

為了貼合工藝制程，積極響應客戶Bump 計量需求，中圖儀器以高精度、多功能合一等優勢將自研量測設備推向眾多優質半導體客戶。BOKI_1000系統支持鍵合、減薄、翹曲和切割后的基板，可以為包括切割后、預鍵合、銅焊盤圖案化、銅柱、凸塊（Bump）、硅通孔（TSV）和再分布層（RDL）在內的特征提供優異的量測能力。

以上為量測Bump時的實時圖像