本文提出一種兩步等溫擴增微流控芯片，其中，預擴增進行 RPA 擴增，第二次擴增采用 LAMP 擴增。

本文可在 40 min 內實現超 16 重檢測。

圖 1 所示為16 重 檢測微流控芯片。

圖1

第一階段使用所有目標引物在 37 °C 下進行 10–20 min 的 RPA 等溫擴增。第一階段的擴增子然后分布在各個 LAMP 反應腔中，每個反應腔都針對一個目標，并在 60–65 °C 下作為第二階段 LAMP 反應的模板持續 30 min。

LAMP 采用非特異性嵌入熒光染料或比色染料進行實時監測。

擴增產物檢測方法見常見等溫擴增產物檢測方法。

圖 2

圖 2 所示為 4 重芯片結構圖。其中第一階段 RPA 反應的主腔體積為 25uL，第二階段 LAMP 反應具有 4 個分支腔，每個腔體積為 15uL。

采用石蠟密封 RPA 反應腔和 LAMP 反應腔之間的接口，一旦芯片溫度超過 60°C，石蠟便會熔化。RPA 擴增期間(37 °C) ，石蠟保持固態將 RPA 腔與LAMP 腔分開。

當芯片溫度升至 65 °C 時，石蠟熔化，打開通道，一階段 RPA 產物擴散到 LAMP 腔中，作為第二階段 LAMP 擴增的模板。

審核編輯：劉清