etnews報道說，三星電子將把改變半導體結構模式的“BSPDN”技術商用化。背面電源（back-power）是在晶片背面向半導體供電的革新技術，但目前還沒有在世界范圍內實施。

據業界透露，三星電子最近將配電技術的商用日程具體化。三星電子代工部門最高技術負責人Gitae Jeong最近在研討會上表示：“計劃到2027年在1.4納米工程中也適用BSPDN。”

據悉，三星電子目前正在開發BSPDN，但具體的商用時期和適用對象尚屬首次。該公司解釋說，技術開發取得了相當大的進展，而且從半導體委托生產的特性上看，隨著與發包方就設置BSPDN的討論取得進展，日程也逐漸具體化。

背光是一項前所未有的創新技術。要想驅動半導體，就需要電力，因此過去是將電源線放在晶片上，在上面畫電路。

但是隨著電路的小型化，將電路和電源線刻在一邊變得困難了。另外，如果電路間隔變窄，就會產生干涉，對半導體性能產生不良影響。背面電源供應克服了這一局限性，因為將電源線放置在晶片背面，將電路和電源空間分離。由于可以同時提高能源效率和半導體性能，因此，不僅是三星電子，臺灣半導體、英特爾等晶圓企業也在摸索攻擊性的技術開發。日本的東京電子公司（tel）和奧地利的ev group （evg）提供bspdn實現裝置。

三星電子的后臺辦公適用時間和目標是2027年適用1.4納米工程，但根據市場需求，日程可能會有所推遲。三星計劃在確保需求后，將bspdn應用到2nm工程中。

三星電子有關負責人表示：“今后電力半導體的量產時間可能會根據顧客的日程發生變化。”三星電子的目標是，到2025年批量生產比1.4納米領先的2納米工程。據悉，三星電子目前正在對背面電源技術的應用進行顧客需求調查。

隨著三星電子公開雙面電力調配計劃，預計轉包企業的技術力領先競爭將愈演愈烈。目前三家公司占支配地位。被選為白波技術的領先者的英特爾計劃在2024年以英特爾20a（2納米級）工程批量生產應用該技術的半導體。英特爾還制造了自己的技術品牌powerbia，強調了背面電源供應技術的優秀性。臺積電計劃到2026年為止，在2納米以下的工程上也適用該技術。