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電源PCB設計
VDD_CPU_BIG0/1
如下圖（上）所示的濾波電容，原理圖上靠近RK3588的VDD_CPU_BIG電源管腳綠線以內的去耦電容，務必放在對應的電源管腳背面，電容GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。
其余的去耦電容盡量擺放在芯片附近，而且需要擺放在電源分割來源的路徑上。
RK3588芯片VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳，保證每個管腳邊上都有一個對應的過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接。
如下圖是電源管腳扇出走線情況，建議走線線寬10mil。
VDD_CPU_BIG0/1覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳覆銅足夠寬。
路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳路徑都足夠。
VDD_CPU_BIG的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（12個及以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。
去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。
VDD_CPU_BIG電流比較大需要雙層覆銅，VDD_CPU_BIG 電源在CPU區域線寬合計不得小于 300mil，外圍區域寬度不小于600mil。
盡量采用覆銅方式降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅），如下圖所示。
電源平面會被過孔反焊盤破壞，PCB設計時注意調整其他信號過孔的位置，使得電源的有效寬度滿足要求。
下圖L1為電源銅皮寬度58mil，由于過孔的反焊盤會破壞銅皮，導致實際有效過流寬度僅為L2+L3+L4=14.5mil。
BIG0/1電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧12個，如下圖所示。
BIG電源PDN目標阻抗建議值，如下表和下圖所示。
電源PCB設計
VDD_LOGIC
VDD_LOGIC的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。
路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳路徑都足夠。
如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_LOGIC電源管腳綠線以內的去耦電容，務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND管腳盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。
其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并擺放在電源分割來源的路徑上。
RK3588芯片VDD_LOGIC的電源管腳，每個管腳需要對應一個過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示，建議走線線寬10mil。
BIG0/1電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間VDD_LOGIC電源在CPU區域線寬不得小于120mil，外圍區域寬度不小于200mil。
盡量采用覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅），GND過孔數量建議≧12個。
VDD_LOGIC的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（8個以上10-20mil的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。
去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用，如下圖所示。
電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧11個，如下圖所示。
電源PCB設計
VDD_GPU
VDD_GPU的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。
路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。
VDD_GPU 的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（10個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。
去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。
如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_GPU電源管腳綠線以內的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。
其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。
RK3588芯片VDD_GPU的電源管腳，每個管腳需要對應一個過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示，建議走線線寬10mil。
VDD_GPU電源在GPU區域線寬不得小于300mil，外圍區域寬度不小于500mil，采用兩層覆銅方式，降低走線帶來壓降。
電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧14個，如下圖所示。
電源PCB設計
VDD_NPU
VDD_NPU的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。
路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。
VDD_NPU的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（7個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。
去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。
如下圖（上）所示，原理圖上靠RK3588的VDD_NPU電源管腳綠線以內的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。
其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。
RK3588芯片VDD_NPU的電源管腳，每個管腳就近有一個對應過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示 ，建議走線線寬10mil。
VDD_NPU電源在NPU區域線寬不得小于300mil，外圍區域寬度不小于500mil。
盡量采用覆銅方式，降低走線帶來的壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。
電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧9個。
電源PCB設計
VDD_CPU_LIT
VDD_CPU_LIT覆銅寬度需滿足芯片電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。
路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。
VDD_CPU_LIT的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（9個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。
去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。
如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_CPU_LIT電源管腳綠線以內的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。
其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。
RK3588芯片VDD_CPU_LIT的電源管腳，每個管腳就近有一個對應過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線線寬10mil。
VDD_CPU_LIT電源在CPU區域線寬不得小于120mil，外圍區域寬度不小于300mil。
采用雙層電源覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。
電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧9個。
電源PCB設計
VDD_VDENC
VDD_VDENC覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。
路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。
VDD_VDENC電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（9個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。
去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。
如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_VDENC電源管腳綠線以內的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。
其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。
RK3588芯片VDD_VDENC的電源管腳，每個管腳就近有一個對應過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線線寬10mil。
VDD_VDENC電源在CPU區域線寬不得小于100mil，外圍區域寬度不小于300mil，采用雙層電源覆銅方式，降低走線帶來壓降。
電源過孔30mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧8個。
電源PCB設計
VCC_DDR
VCC_DDR覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。
路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。
VCC_DDR的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（9個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。
去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。
如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VCC_DDR電源管腳的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，其余的去耦電容盡量靠近RK3588，如下圖（下）所示。
RK3588芯片VCC_DDR的電源管腳，每個管腳需要對應一個過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線線寬10mil。
當LPDDR4x 時，鏈接方式如下圖所示。
VCC_DDR電源在CPU區域線寬不得小于120mil，外圍區域寬度不小于200mil。
盡量采用覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。
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