国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Gel-Pak VR真空釋放盒應用于50V GaN HEMT 芯片

伯東企業(上海)有限公司 ? 2023-08-07 14:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

某碳化硅 SiC 和 氮化鎵 GaN 供應商新推出了三款 50V 分立氮化鎵高電子遷移率晶體管 HEMT 芯片, 分別是: 20W, 6GHz 芯片;75W, 6GHz 芯片以及 320W, 4GHz 芯片, 從而使得該系列的產品數量達到 5種, 這一系列是目前市場上唯一的商用 50V 裸芯 GaN HEMT 芯片.

Gel-Pak VR 真空釋放盒為 50V GaN HEMT 芯片提供儲存和運輸解決方案
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術, 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運輸和儲存過程中因為碰撞等造成芯片的損害.

gelpak 真空釋放盒上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒


上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放膠盒, 膠盒表面在網狀材料上使用專有的 Gel 膠或無硅 Vertec? 膠膜將芯片固定在適當位置, 通過在托盤底側施加真空將芯片釋放. Gel-Pak 真空釋放盒適用于大批量器件自動拾取和放置應用, 特別是超薄芯片.

gelpak 真空釋放盒上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒

Gel-Pak VR 真空釋放膠盒特點:

適合大多數的芯片尺寸

適用于手動操作 (真空吸筆) 或自動拾取設備 ( Pick &Place 設備)

適用于運輸或處理易碎的器件( 比如減薄的 InP 磷化銦晶圓)

通常應用在 2英寸和 4英寸的托盤

可以用來運輸晶圓或者大尺寸超薄器件

適用于對清潔度要求高的場合

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    463

    文章

    54010

    瀏覽量

    466073
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3721

    瀏覽量

    69401
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    21

    文章

    2366

    瀏覽量

    82336
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    50W 28V 0.3-6GHz ALGH60S050CFPS 氮化鎵射頻功放管

    --- 產品參數 --- 電壓:28V 頻率:300-6000MHz 功率:50W --- 數據手冊 --- ALGH60S050CFP(S)是一種內部預匹配的氮化鎵(GaN)高電子遷移率功率管
    發表于 02-24 16:11

    CHA6154-99F三級單片氮化鎵(GaN)中功率放大器

    - 7.75 GHz技術工藝:GaN-on-SiC HEMT封裝形式:裸片(Bare Die)芯片尺寸:4.08 × 1.7 mm2芯片厚度:100 μm ± 10 μm電氣特性(T
    發表于 02-04 08:56

    VIPERGAN50高效準諧振離線高壓轉換器技術解析與應用指南

    STMicroelectronics VIPERGAN50高壓轉換器是一款先進的準諧振離線高壓轉換器,設有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN50設計
    的頭像 發表于 10-31 11:07 ?493次閱讀
    VIPERGAN<b class='flag-5'>50</b>高效準諧振離線高壓轉換器技術解析與應用指南

    STDRIVEG60015演示板技術解析:650V E模式GaN半橋驅動設計指南

    STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允許用戶評估STDRIVEG600高速半橋柵極驅動器。STDRIVEG600經過優化,可驅動高壓增強模式GaN HEMT。該器件具有集成自舉二極管,可提供高達20
    的頭像 發表于 10-24 14:11 ?537次閱讀
    STDRIVEG60015演示板技術解析:650<b class='flag-5'>V</b> E模式<b class='flag-5'>GaN</b>半橋驅動設計指南

    先積新品發布 ▏50V, 7路達林頓驅動陣列_ULN2003

    /O口或者標準邏輯電路輸出口直接相連。每個通道均有獨立的續流二極管,可用于驅動感性負載。ULN2003A擊穿電壓大于50V,覆蓋12V/24V供電應用,最大持續電流
    的頭像 發表于 09-29 10:59 ?965次閱讀
    先積新品發布 ▏<b class='flag-5'>50V</b>, 7路達林頓驅動陣列_ULN2003

    GaN HEMT器件的結構和工作模式

    繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術簡介后,我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,在消費電子領域,特別是快速充電器產品的成功商用,昭示了其成熟的市場地位與廣闊應用前景。
    的頭像 發表于 09-02 17:18 ?4716次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>器件的結構和工作模式

    GaN HEMT開關過程中振蕩機制與驅動設計考量

    增強型GaN HEMT具有開關速度快、導通電阻低、功率密度高等特點,正廣泛應用于高頻、高效率的電源轉換和射頻電路中。但由于其柵極電容小,柵極閾值電壓低(通常在1V到2
    的頭像 發表于 08-08 15:33 ?2984次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>開關過程中振蕩機制與驅動設計考量

    SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT,其內部匹配標準通信頻段,可提供最佳功率和線性度。

    SGK5872-20A 類別:GaN 產品 > 用于無線電鏈路和衛星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼:I2C 功能:C 波段內部匹配
    發表于 06-16 16:18

    增強AlN/GaN HEMT

    一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄
    的頭像 發表于 06-12 15:44 ?995次閱讀
    增強AlN/<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>

    MAX3250 ±50V隔離、3.0V至5.5V供電、250kbps、2 Tx/2 Rx、RS-232收發器技術手冊

    MAX3250為3.0V至5.5V供電、±50V隔離的EIA/TIA-232和V.28/V.24通信接口
    的頭像 發表于 06-06 16:08 ?1221次閱讀
    MAX3250 ±<b class='flag-5'>50V</b>隔離、3.0<b class='flag-5'>V</b>至5.5<b class='flag-5'>V</b>供電、250kbps、2 Tx/2 Rx、RS-232收發器技術手冊

    什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應用哪里?

    IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領域核心開關器件,通過柵極電壓控制導通狀態: ? 結構特性 ?:融合
    的頭像 發表于 05-26 14:37 ?2915次閱讀

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發。本文檔首先介紹該模
    的頭像 發表于 03-11 17:43 ?2621次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>的SPICE模型使用指南及示例

    GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數據手冊

    1MHz的高頻段,電源效率也可達到96.5%以上。另外,通過采用通用性高的DFN封裝,不僅散熱性能出色,還非常易于安裝。 *附件:GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數據手冊
    的頭像 發表于 03-07 17:40 ?950次閱讀
    GNE1008TB 150<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 封裝DFN5060 數據手冊

    GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

    GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
    的頭像 發表于 03-07 16:45 ?828次閱讀
    GNP1150TCA-Z 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數據手冊

    GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

    GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
    的頭像 發表于 03-07 15:46 ?1023次閱讀
    GNP1070TC-Z 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數據手冊