申請到雷龍發展代理的CS創世 貼片 SD Card (SD NAND) 樣品，做出測試，分享一下。

型號：CSNP32GCR01-BOW；CSNP4GCR01-BOW

生產方：CS創世半導體

總代理官方網站：深圳市雷龍發展有限公司

目前雷龍發展代理的 SD NAND 已可在立創商城搜索到，其詳情頁也附有手冊。

芯片簡介

芯片外觀及封裝

實拍圖：

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根據官方文檔介紹，此款芯片采用 LGA-8 封裝，標準SDIO接口，兼容SPI/SD接口。

標準的SD 2.0協議可以直接移植標準驅動代碼，支持TF卡啟動的SOC都可以用SD NAND。

芯片主要參數(以CSNP32GCR01-BOW手冊為準)

Interface: Standard SD Specification Version 2.0 with 1-I/O and 4-I/O.

Default mode: Variable clock rate 0 - 25 MHz, up to 12.5 MB/sec interface speed (using 4 parallel data lines)

High-Speed mode: Variable clock rate 0 - 50 MHz, up to 25 MB/sec interface speed (using 4 parallel data lines)

高速模式下，可達到 25MB/s 的傳輸速度，在普通模式下也有 12.5MB/s 的傳輸速度。

端口信息對比

SD NAND 接口信息

SD Card 接口信息

micro SD：

SD：

可以對比，除引腳分布外，在引腳功能上SD NAND 和 SD Card 并無明顯差別。

參考設計電路圖

從所給的參考電路來看，與設計 SD卡托 所需外圍電路基本一致，不用修改外圍器件或原理圖，只需少量修改 PCB 布局即可實現替換。

NAND Flash Menory

介紹 NAND Flash 有關資料均來自 KIOXIA 官網 。

存儲單元結構

下圖為閃存的內部存儲單元結構（橫截面）。存儲單元是數據存儲的最小單位。通過將電子移入或者移出封閉在絕緣體中的電荷存儲膜來存儲數據。

寫入擦除操作

當高壓（Vcg(++)）施加到控制柵極(control gate)時，電子穿過絕緣體(Insulator)并從硅襯底(Silocon substrate)進入電荷存儲膜(Charge storage film)（如圖a）。當電源關閉時，此存儲電子的狀態仍會存在。當在硅襯底側施加高電壓（Vw(++)）時，電子穿過絕緣體并從電荷存儲膜離開到硅襯底側（如圖b）。這就是存儲單元寫入數據和擦除數據的操作。

數據0和數據1判定

當向控制柵極施加恒定電壓（讀出電壓Vcg(+)）時，數據”0“和”1“取決于電流是否在存儲單元內橫向流動。當電壓逐漸施加到控制柵極時，電流開始在存儲單元中流動的控制柵電壓被稱為閾值電壓。”0“和”1“的判斷是利用該閾值電壓根據電荷存儲膜中是否存在電子而變化的事實來執行的。在電荷存儲膜中有電子的狀態下（數據”0“），閾值電壓高于讀出電壓Vcg(+)，所以電流不流動（如圖a）。在電荷存儲膜中沒有電子的狀態下（數據”1“），閾值電壓低于讀出電壓Vcg(+)，因此電流流動。

即使是電源關閉，狀態仍然會保留，即斷電不丟失。

NAND Flash

存儲單元串聯排列的結構稱為 NAND Flash，NAND Flash的一個特點是可以高密度排列存儲單元。

NAND Flash 相比較于 NOR Flash 容量更大，擦寫速度更快。作為存儲數據是不錯的選擇。

傳輸速度測量

以 CSNP4GCR01-BOW 為例子：

這個芯片又不往電腦上用，測速就略微看看，做個參考就得了。

SD卡控制

對于 NAND SD卡的控制，官方有提供基于 STM32 的測試程序，這里由于篇幅原因，不做過多介紹，其與普通 SD Card 基本相同。

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【本文轉載自CSDN，作者：喜暖知寒】