紫外光刻和曝光是半導體行業生產各種高端芯片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。

長期以來，半導體制造領域使用傳統大功率汞燈技術用于光刻設備的紫外光源。這種光源雖然輸出功率高，但輸出光譜范圍寬，制造和生產過程中會產生對環境有害的物質，并且工作壽命短，更換周期頻繁。UVLED具有獨特的技術優勢和成本優勢，能夠輸出穩定且超高功率的UV輻射，并保證長時間和長工作壽命，為半導體制造領域提供了一種理想解決方案。

基于UVLED的獨特優勢，越來越多的研究實驗室使用UVLED光源代替傳統汞燈燈箱。但設備的更新換代并不是簡單的“鑰匙開門”過程，需要考慮更換成本、設備體積以及設備兼容性，更關鍵的是保證效果穩定。

虹科ALE 1用于改造光刻設備的優異性

虹科高功率紫外光源ALE 1 UVLED光源與準直直泛光曝光光學器件相結合，不僅是將傳統掩模對準器燈箱升級到UV-LED技術的多功能和靈活的選擇，也是一種經濟實惠的解決方案，對學術界和工業界的小型研究實驗室具有吸引力。

能量效率

虹科ALE1紫外光源比傳統汞燈使用更少的能源。從長遠來看，這不僅有助于降低能源支出，而且使UV LED成為希望減少碳足跡的實驗室的更環保的選擇。

更長的使用壽命

虹科ALE1紫外光源比傳統汞燈具有更長的使用壽命，這意味著它們需要更少的更換和維護頻率，從而為實驗室節省成本。

穩定輸出

虹科ALE 1紫外光源可隨著時間的推移提供一致的紫外線輸出，無需調整燈泡強度或頻繁更換燈泡。這確保了實驗中更高的一致性和準確性，并降低了由于不均勻照明而導致的錯誤風險。

靈活的傳輸控制

虹科ALE 1紫外光源完美地集成到現代研究實驗室設置中。完全可調的輸出光譜和最先進的控制接口為高級曝光實驗開辟了可能性，并使其易于收集數據和分析結果。

減少熱量

虹科ALE1紫外光源比傳統汞燈散發的熱量更少， 這對于對溫度變化敏感的實驗是有益的。

更安全的使用環境

虹科ALE 1紫外光源是研究實驗室比傳統汞燈更安全的選擇，因為它們不含汞。汞是一種有毒物質，可能對人體健康和環境有害，在傳統燈具中使用汞會帶來潛在的暴露風險。

利用UVLED進行光刻設備的升級

標準/定制的高透射率液體LED光導可用于連接光源和曝光，可以自由選擇最適合的方法，幾乎可以將光源和曝光光學器件放置任何位置。所有解決方案均可定制，以完美貼合原有設備。

大面積聚光元件集成方式

透鏡組集成方式

改用虹科ALE 1紫外光源作為曝光光源為研究實驗室提供了許多好處。它們不僅更節能，使用壽命更長，而且還提供一致的紫外線輸出，散發更少的熱量，并且對研究人員來說更安全。憑借與數字技術集成的能力，虹科ALE 1紫外光源正成為希望與最新技術進步保持同步的研究實驗室的首選。

如果您對適用于您的面罩對準器的經濟實惠的 UVLED解決方案感興趣，請與我們聯系。我們將確保更換件與您的特定掩模矯正器型號兼容，并符合必要的性能規格。

虹科高功率紫外光源

虹科ALE/1

虹科ALE/1是代替以往的放電燈的高輸出、高穩定的LED光源裝置，先進的UVLED光引擎最多可內置5種LED，可輸出或定制多個波長（365nm，385nm，405nm，435nm），最高可達到30W輸出。LED模塊易于更換，可靈活應對應用程序更改，易于集成到新的和現有設置中，是適應未來需求且具備顯著所有權成本優勢的無汞光源。虹科ALE/1 UVLED光源可適用于半導體制造（曝光機、先進封裝投影***、晶圓邊緣曝光、光掩模檢查等）、質量保證和檢查（NDT），在汽車、電子、光電子、制藥和生命科學領域具有廣泛的應用市場。

虹科ALE/3

虹科ALE/3光源是代替以往的水銀燈的高輸出LED紫外線光源裝置，可內置2種LED，可選擇單光譜設置（365、385、405或435nm）和多光譜設置（365和405nm），高達15 W光輸出，是粘合劑硬化及半導體晶片的周邊曝光等應用中有效光源方案，是適應未來需求且具備顯著所有權成本優勢的無汞光源。

虹科ALE/3 UVLED光源是替代汞燈的完美解決方案，適用于半導體制造（曝光機、先進封裝投影***、晶圓邊緣曝光、光掩模檢查等）、質量保證和檢查（NDT），在汽車、電子、光電子、制藥和生命科學領域具有廣泛的應用市場。