6月5日，杭州飛仕得科技股份有限公司（以下簡稱“飛仕得”）披露首次公開發行股票并在科創板上市招股說明書（申報稿）。

功率半導體的全球市場規模方面，根據Omdia統計，2021年全球功率半導體市場規模為583.83億美元，其中功率分立器件市場規模為200.50億美元、功率模塊市場規模為74.52億美元、功率IC市場規模為308.81億美元。

中國是全球最大的功率半導體消費國，中國功率半導體的市場規模在全球的占比仍在逐步提升，根據Omdia統計，2021年中國功率半導體市場規模約為211.51億美元，占全球市場比重約為36.2%。

根據Omdia數據，2021年，全球功率器件市場規模約為275.02億美元，中國已經成為全球最大功率器件消費市場。據英飛凌（全球功率器件領先企業）年報統計，2021財年英飛凌在中國地區銷售收入占其全部收入的37.9%，中國是其全球最大的銷售區域。

據Omida數據，中國功率器件市場規模約為105.82億美元，相較2020年增長21.7%。IGBT和MOSFET是國際功率器件市場的主力軍。根據Omdia數據，2021年，全球功率器件MOSFET市場約占43.6%，約120億美元；IGBT（含IGBT分立器件、IGBT模塊、IPM模塊）市場占30.6%，約84億美元。SiC基和GaN基功率器件由于成本和技術限制，目前占比較低，其是未來功率器件重要發展方向之一。

市場規模方面，功率器件驅動器與功率器件搭配使用，二者市場協同發展。市場上功率器件驅動器產品主要針對IGBT和MOSFET兩類產品，根據Omdia及英飛凌數據，2020年，IGBT和MOSFET合計約占全球功率器件市場規模的70.54%。因此，通過IGBT和MOSFET的市場需求可間接反映功率器件驅動器的市場規模。

A、IGBT市場規模：IGBT按照封裝進行分類，可分為IGBT單管（即IGBT分立器件）、IGBT模塊和智能功率模塊（IPM）三類產品，其中IPM模塊內置驅動電路，主要應用于變頻空調、變頻洗衣機等家用電器及消費電子。IGBT全球市場空間增速較快，根據Omdia數據，2021年IGBT的全球市場規模約為59億美元（含IGBT分立器件、IGBT模塊），預計至2026年全球市場規模約為84億美元，年復合增長率為7.5%。中國IGBT市場需求快速增長，主要受益于下游行業市場需求的推動，特別是新能源汽車、新能源發電、碳達峰、碳中和發展規劃等一系列國家政策的驅動。

B、MOSFET市場規模：硅基MOSFET具有開關頻率高、開關損耗小的優點，常應用于低電壓（600V以下）、較低功率、高工作頻率場景，因此硅基MOSFET多應用于消費電子、汽車、工業等領域。硅基MOSFET全球市場規模較為穩定，據Yole統計數據，2020年全球硅基MOSFET（分立器件+功率模塊）市場規模約為66.41億美元，隨著汽車和工業細分領域的需求快速增長，預計2026年硅基MOSFET全球市場規模約為94億美元，年復合增長率為3.8%。隨著SiC基功率半導體器件的技術發展趨于成熟，SiC MOSFET器件由于其高功率密度的特性，市場空間廣闊。據Omdia及Yole數據，SiC MOSFET將成為SiC材料應用最廣泛的器件，2021年，全球SiC功率器件市場規模約為11.29億美元，預計至2027年增長至62.97億美元，CAGR約34.00%；中國SiC功率器件市場增速高于全球增速，根據Omdia數據，2021年，中國SiC功率器件的市場規模為4.19億美元，增長率約為62.00%。

功率器件驅動器市場發展趨勢

A、國內廠商加快技術與產品追趕，國產替代趨勢明顯

全球市場競爭格局方面，國外生產商憑借其在半導體行業的技術領先優勢，占據全球功率器件驅動器主要市場。根據Yole數據，2021年，全球前五名驅動IC生產商均為國際廠商，占據全球驅動IC市場約80%市場份額。

國內功率器件驅動器行業起步較晚，隨著2017年工信部推出“工業強基IGBT器件一條龍應用計劃”、國家“十三五”規劃等系列政策，國內高新技術自主可控的需求迫切，功率器件驅動器國產替代需求上升，疊加中美貿易戰背景下全球半導體供應鏈緊張的情形，國產功率器件驅動器廠商獲得國產替代機會。驅動IC方面，納芯微、比亞迪半導、圣邦股份等公司的產品實現對德州儀器（TexasInstruments）、博通（Broadcom）等國際巨頭產品一定程度的國產替代；板級驅動器方面，國內聯研國芯、青銅劍技術、落木源、飛仕得等公司基于多年技術研發和應用積累，逐步在功率器件驅動器中高壓應用領域占據優勢，公司產品已實現對PI、賽米控、英飛凌等公司產品一定程度的國產替代。

B、中高壓功率器件技術發展促進功率器件驅動器專業化生產需求

《中國“十四五”電力發展規劃研究》提出提升電力系統整體效率、高度重視節能增效要求，且隨著終端應用領域（如風電、光伏、新能源汽車）對功率輸出和空間占比要求不斷提升，明確電力電子產業高頻高功率密度的發展趨勢。SiC、GaN等寬禁帶半導體材料工藝的發展，突破硅基材料對功率與頻率的限制，將進一步提高功率器件的電壓、電流、開關頻率和容量。因此，用于驅動大功率器件的驅動器需求將迎來增長。此外，功率器件模塊化能有效提高功率密度，以IGBT模塊和SiC模塊為代表的中高壓功率器件模塊市場規模呈上升趨勢。中高壓功率器件的發展對功率器件驅動器提出了更高要求，包括驅動器的功能完善程度、高可靠性、高智能化等，專業化生產功率器件驅動器的企業具有產品及技術優勢、豐富的實況應用積累等，有望進一步提升自身市場地位。

C、能源電子產業智能化、數字化需求促進數字驅動器發展

《“十四五”規劃綱要》明確了智慧電網、智慧電廠的建設目標，《“十四五”智能制造發展規劃》《“十四五”現代能源體系規劃》等系列政策明確提出面向工業場景的智能解決方案，促進電能轉換系統組件的智能化與數字化發展。智能電網要求數字化技術應用于電力系統的“源網荷儲”四大環節，即包括電能的生產、傳輸、存儲與消費環節；《工業和信息化部等六部門關于推動能源電子產業發展的指導意見》（工信部聯電子〔2022〕181號）提出促進能源電子產業智能制造和運維管理，推動提升智能設計、智能集成、智能運維水平，發展智慧能源系統關鍵技術和電網智能調度運行控制與維護技術；國家能源局《國家能源局關于加快推進能源數字化智能化發展的若干意見》提出推動能源裝備智能感知與智能終端技術突破。