全棧式信號鏈芯片供應商列拓科技Leto宣布，最新推出高性能、高閃存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。 LTM32F103ZET6芯片使用ARM 32位Cortex-M3內核，最高工作頻率 96MHz；LTM32F103ZET6芯片內置512KB的FLASH、64KB的SRAM等大容量高速存儲器；并且可以通過FSMC模塊掛載最多1GB容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card外部存儲器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式，使其能夠滿足各種低功耗應用的要求，其內部框架圖如下：

LTM32F103ZET6芯片主要特性：

ARM 32位Cortex-M3內核

512KB閃存、64KB SRAM高速存儲器

高達96MHz工作頻率

2.0V~3.6V工作電壓范圍

-40℃~85℃工作溫度范圍

多達11個16位定時器

12位的ADC/DAC數模轉換器

集成USB全速接口和CAN以及FSMC外設

多達13個I2C/UART/SPI/SDIO通信接口

12通道DMA控制器

支持睡眠、停機、待機三種低功耗模式

封裝尺寸：LQFP144(20x20mm)

應用場景： LTM32F103ZET6可以廣泛應用于電機驅動器、數模轉換模塊、數據通信設施、應用控制設備、醫療與手持設備。 應用產品（例）：

LTM32F103ZET6預計7月份量產，目前已經送樣中。列拓科技高性能、高閃存、低功耗微控制器系列產品已經開放樣片申請，免費申請樣片請發郵件至sales@leto-ic.com。您可以訪問列拓科技官方網站http://www.leto-ic.com選擇適用的型號。