国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

中國渴望使用第三代芯片

半導體產業縱橫 ? 來源:半導體產業縱橫 ? 2023-06-25 09:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一段時間內,中國大陸芯片企業將不得不依靠外國技術來制造新一代芯片。

一些技術專家表示,預計未來幾年中國大陸將對第三代半導體產生強勁需求,這些半導體產品主要用于電網、電動汽車和電信基站。

新一代芯片,也稱為復合芯片,由碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙材料制成,它們適用于功率器件,可以在高溫、高頻和高壓的環境中工作。

TrendForce表示,全球SiC功率器件市場的價值將從2022年的16.1億美元攀升至2026年的53.3億美元,復合年增長率(CAGR)為35%。GaN功率器件的年增長率將從2022.年的1.8億美元增長到2026年的13.3億美元,CAGR為65%。

有分析稱,由于該行業不在美國制裁的覆蓋范圍之內,中國可以培養自己的晶圓代工廠,也許有一天能夠自行供應第三代半導體芯片。

“SiC市場的發展受到新能源行業的強烈推動,特別是新能源汽車的旺盛需求,”TrendForce分析師Rany Gong(龔先生)最近在深圳舉行的一次研討會上表示。

龔先生表示,他預計汽車用碳化硅功率器件的銷售額將從.2022年的10.9億美元增長到2026年的39.8億美元,CAGR為38%。

“GaN芯片在汽車市場的前景也在增長,但需要行業參與者做出更多努力,”他說?!癎aN市場現在主要由消費電子產品驅動,因為GaN芯片適用于快速充電設備。”GaN芯片將在2025年左右用于車載充電器和DC-DC轉換器,到2030年用于電源逆變器。

“第三代半導體可以廣泛應用于新能源、交通和光電領域,幫助中國實現排放峰值和碳中和目標,”中國先進半導體產業創新聯盟(CASA)指導委員會主任曹健林5月下旬在北京舉行的一次研討會上表示。

曹表示,去年全球半導體市場進入下行周期,但由于汽車、太陽能和儲能行業的強勁需求,第三代芯片市場繼續增長并進入高速增長期。他說,中國總有一天能夠自給自足所需的器件。

中國工程院院士、國家新材料產業發展戰略咨詢委員會主任甘勇表示,第三代芯片使用量的增加將對未來十年全球半導體產業的發展產生至關重要的影響,他補充說,芯片行業的全球化是不可阻擋的。

美國制裁

去年10月,美國商務部工業和安全局(BIS)對中國大陸芯片行業實施了新的限制措施。根據BIS的限制,生產16nm或更低制程節點芯片的中國大陸晶圓廠必須申請許可證才能從美國購買半導體設備等產品。

今年1月,日本和荷蘭同意加入美國,限制中國大陸獲得先進的半導體設備,今年4月,日本表示,23種芯片技術的供應商最早在7月需要獲得政府批準才能出口到包括中國大陸在內的國家和地區。

一些分析師表示,美國的限制措施不會阻止中國制造第三代芯片,因為生產是材料科學的問題,不需要高端光刻技術。

總部位于深圳的千展產業研究院在一份研究報告中表示,與美國的貿易戰實際上使中國更加專注于生產第三代芯片,該公司表示,中國SiC和GaN功率器件的銷售額從2017.年的17.9億元人民幣增長到2021年的71.7億元人民幣,CAGR為300%。

該公司表示,在截至2027年的5年內,中國大陸SiC和GaN功率器件的銷售額將平均每年增長45%,達到660億元人民幣,而同期GaN微波射頻器件的銷售額將每年增長22%,達到240億元人民幣。

中國科協出版的雜志《中國科技報》發表文章稱,第三代芯片領域是中國未來可以超越西方的領域。

“在前兩代半導體的發展中,我們的國家比其它國家起步晚,我們在賽車比賽中很難'彎道上超越別人',”它說。“但在第三代芯片領域,中外企業幾乎同時起步,希望我們的國家能夠迎頭趕上,用本地供應商取代所有外國供應商?!?br />
兩用芯片

世界上大部分的芯片制造能力仍在制造第一代芯片,這些芯片主要由硅制成。由砷化鎵(GaAs)和磷化鎵(GaP)制成的第二代芯片用于4G電信設備。一些第三代由氧化鋅(ZnO)和氮化鋁(AlN)制成。

制造第三代芯片的成本大約是制造硅芯片的兩到三倍。

第三代芯片制程通常在90-350nm之間,這些尺寸不受美國制裁的約束,其中,GaN微波射頻芯片可用于導彈、雷達和旨在欺騙雷達的電子對抗,SiC芯片可用于噴氣式、坦克和海軍艦艇發動機以及風洞。

CASA總裁吳玲上個月表示,中國應尋求自給自足芯片,以滿足電信,能源,運輸和國防工業的巨大需求。她指出,該國仍然缺乏對科學研究的長期穩定投資,缺乏評估研究成果的平臺以及鼓勵私人資本投資該部門的機制。

一些分析人士表示,中國大陸在第三代芯片領域短期內要趕上西方并不容易,因為包括Wolfspeed、Rohm、Infineon、三菱和STMicroelectronics在內的外國公司仍然擁有核心技術。

目前,中國大陸的主要行業參與者包括華潤微電子、三安光電、杭州士蘭和株洲中車時代電氣有限公司。

6月7日,意法半導體(STMicroelectronics)表示,已與中國三安光電簽署協議,在重慶成立一家新的SiC器件制造合資企業。





審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12614

    瀏覽量

    236871
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3721

    瀏覽量

    69409
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    26

    文章

    3464

    瀏覽量

    52347
  • 車載充電器
    +關注

    關注

    2

    文章

    270

    瀏覽量

    24973
  • GaN技術
    +關注

    關注

    0

    文章

    40

    瀏覽量

    8283

原文標題:中國渴望使用第三代芯片

文章出處:【微信號:ICViews,微信公眾號:半導體產業縱橫】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺

    今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發的全新第三代(G3) 超結 MOSFET技術平臺。
    的頭像 發表于 01-22 14:44 ?639次閱讀
    龍騰半導體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術平臺

    行業快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基

    行業快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基
    的頭像 發表于 01-16 11:41 ?394次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
    的頭像 發表于 01-15 09:16 ?259次閱讀

    Cadence公司成功流片第三代UCIe IP解決方案

    為推動小芯片創新的下一波浪潮,Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(UCIe)IP 解決方案,在臺積電先進的 N3P 工藝上實現了業界領先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業向日
    的頭像 發表于 12-26 09:59 ?383次閱讀
    Cadence公司成功流片<b class='flag-5'>第三代</b>UCIe IP解決方案

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、成本構成:核心
    發表于 12-25 09:12

    CINNO出席第三代半導體產業合作大會

    10月25日,第三代半導體產業合作大會在鹽城高新區召開。省工業和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區委書記馬正華出席,鹽都區委副書記、區長臧沖主持會議。
    的頭像 發表于 10-27 18:05 ?1427次閱讀

    開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
    的頭像 發表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術認知
    的頭像 發表于 10-08 13:12 ?793次閱讀
    基本半導體B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    上海貝嶺發布第三代高精度基準電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數的特性。
    的頭像 發表于 07-10 17:48 ?1189次閱讀
    上海貝嶺發布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準電壓源

    英偉達預計向中國客戶交付 “第三代” 閹割芯片

    電子發燒友網綜合報道,消息人士稱,英偉達計劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片,試圖重新奪回市場份額。 ? B20
    的頭像 發表于 06-21 00:03 ?3909次閱讀

    電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用

    第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現,正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發揮著不可或缺的作用
    的頭像 發表于 06-19 14:21 ?732次閱讀
    電鏡技術在<b class='flag-5'>第三代</b>半導體中的關鍵應用

    尋跡智行第三代自研移動機器人控制器獲歐盟CE認證

    尋跡智行第三代自研移動機器人控制器BR-300G獲歐盟CE認證
    的頭像 發表于 06-12 13:47 ?614次閱讀
    尋跡智行<b class='flag-5'>第三代</b>自研移動機器人控制器獲歐盟CE認證

    第三代半導體的優勢和應用領域

    隨著電子技術的快速發展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅(Si)半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發表于 05-22 15:04 ?2455次閱讀

    瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發表于 05-22 13:58 ?893次閱讀
    瑞能半導體<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術解析(1)

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產在即

    電子發燒友網綜合報道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產進程,將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于將負極材料由傳統石墨替換為硅材料
    的頭像 發表于 05-19 03:02 ?3281次閱讀