汽車電子行業的智能化、電動化趨勢帶來周邊行業（如充電樁等）的爆發式增長，碳化硅功率器件憑借高耐壓，高開關頻率和高耐溫等優點在電能轉換中得到大規模的應用。而具有巨大市場前景的充電樁模塊也將面臨著惡劣環境下（如高溫高濕鹽霧灰塵等）長時間工作導致可靠性問題，建設用地緊張導致對充電樁要求更高的功率密度和效率。

針對以上問題，基本半導體推出了第二代碳化硅MOSFET系列新品器件B2M065120Z，該系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。

B2M065120Z擁有更低比導通電阻（降低約40%）、器件開關損耗（降低約30%），以及更高可靠性和更高工作結溫（175°C）等優越性能。產品類型也進一步豐富，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。

碳化硅MOSFET B2M065120Z

B2M065120Z是全新的SOT-227封裝，采用氮化鋁（AlN）陶瓷基板，具有熱導率高、強度高、熱膨脹系數低等優點，氮化鋁陶瓷基板熱導率(170~230W/mK)是氧化鋁陶瓷基板的9.5倍，熱阻Rth(jc)低至0.12K/W。

綜上所述，碳化硅MOSFET B2M065120Z器件作為第三代功率半導體非常適合充電樁模塊的應用，必將在充電樁模塊中得到快速的應用，基本半導體目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術，將帶來充電樁電能轉換的巨大進步和技術突破。

注：如涉及作品版權問題，請聯系刪除。