新型多功能風(fēng)速儀，在測(cè)量風(fēng)速的同時(shí)必需具有實(shí)時(shí)保存時(shí)間和對(duì)應(yīng)測(cè)量數(shù)據(jù)的功能；外部存儲(chǔ)器的選擇也是多種多樣的,目前應(yīng)用最多的仍是SRAM加后備電池、EEPROM及NVRAM這三種方案，但是SRAM后備電池的方法增加了硬件設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，降低了系統(tǒng)的可靠性；EEPROM方式可寫次數(shù)較少（約10萬(wàn)次），且寫操作時(shí)間較長(zhǎng)（約10ms）。因此越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者將目光投向了新型的非易失性鐵電存儲(chǔ)器。

上圖是多功能風(fēng)速儀系統(tǒng)框圖，系統(tǒng)傳感器部分主要由風(fēng)速傳感器、溫度傳感器、氣壓傳感器構(gòu)成。它們分別接入A/D轉(zhuǎn)換器的不同通道進(jìn)行分時(shí)采樣，采樣結(jié)果被單片機(jī)讀入單片機(jī)內(nèi)部RAM。鍵盤電路主要完成實(shí)時(shí)鐘的設(shè)置以及讀入外部鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC的數(shù)據(jù)并通過(guò)單片機(jī)在LCD進(jìn)行顯示。

PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器的配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和SRAM不同，芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

該芯片中使用的存儲(chǔ)單元可用于1E6次讀/寫操作*1，它的讀/寫耐久性大大超過(guò)FLASH和EEPROM，且不會(huì)像FLASH或EEPROM那樣需要很長(zhǎng)的數(shù)據(jù)寫入時(shí)間。PB85RS2MC支持SPI接口（模式0和模式3），模式0和模式3，具有先進(jìn)的寫保護(hù)設(shè)計(jì)，包括硬件保護(hù)和軟件保護(hù)雙重保護(hù)功能。

PB85RS2MC性能參數(shù)：

? 容量128Kb；

? 工作頻率是25兆赫茲；

? 高速讀特性：支持40MHz高速讀命令；

?工作電壓：2.7V-3.6V；

?功耗4.8毫安，待機(jī)功耗9微安；

? 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃；

? 封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS；

? 性能兼容富士通和賽普拉斯；

隨著國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器容量的增大和價(jià)格的優(yōu)勢(shì)，鐵電存儲(chǔ)器器件會(huì)逐步成為一種主流存儲(chǔ)器，在儀器儀表、工業(yè)控制、數(shù)字家電和通訊產(chǎn)品等方面獲得普遍使用，并且國(guó)芯思辰可提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的供貨和技術(shù)支持。

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