概述

HJJF003半導體橋塞點火/起爆激發單元是一種快速放電的高端開關。它是基于符合GJB2438要求的厚膜集成制作而成。具有體積小、放電電流大、放電快速等特點。加裝了抗射頻（EMI）及靜電（ESD）防護。適用于高可靠地激發對射頻和靜電敏感的1Ω/3Ω半導體橋塞（SCB）。也可用做半導體激光器泵源高可靠的激發單元。

電原理圖

圖1 HJJF003電原理圖

設計思路

半導體橋塞相對于合金橋絲而言，具有點火所需要的能量小、時間短、能夠形成高溫等離子放電等特性。要求其激發單元必須具備快速放大電流的能力。橋塞一端必須接地（GND），出于安全性的考慮，必須選用高端開關執行。在一定的供電電壓及電流要求下，P-MOS管是最好的選項。而成品P-MOS管的應用又遇到了兩個挑戰，一是引線寄生電感，二是不合理的驅動方式會造成P-MOS管兒的開啟損耗偏大，進而影響激發效果。

實際工況條件，半導體橋塞還會受靜電放電（ESD）和射頻干擾（EMI）的影響。靜電會損傷橋塞。強射頻干擾會造成誤觸發。靜電、射頻干擾、放電的V-t波形圖如圖2所示。

圖2 放電的V-t波形圖

靜電脈沖有時可能高達幾萬伏，但其作用時間Δt1≤2~3μs；射頻干擾雖在幾十伏到上百伏不等，但其持續的時間Δt2在幾十μs到幾十ms之間；正常需要的放電脈沖在15~36V，有效作用時間Δt3在1μs~10μs之間。因此，HJJF003設計的主要思路就是：通過合理的驅動P-MOS管獲取強放電脈沖；通過M2（NMOS管）來吸收ESD/EMI。由于厚膜集成工藝均用裸管芯通過超聲換能焊接成系統，故寄生電感可降至最小。

對靜電放電（ESD）和射頻干擾（EMI）的防護機理分兩種情況：

1.在系統不加電的情況下，此時M1、M2關斷，若半導體橋塞（SCB）感受到一個負向的ESD/EMI，則能量會通過D2泄放，如下圖3所示：

圖3

此時，SCB上的最大感受電壓≤1.2V（@IF≤38A），能夠有效地保護SCB不激發/亞點火。

若SCB上感受到一個正向的ESD/EMI，則能量會通過D1和CO釋放，如下圖4所示：

圖4

此時，因為CO沒有充電，正負極相當于短路態。靜電放電（ESD）屬于極窄脈沖，其時間不足以使CO解除短路態。而EMI放電脈沖雖然較寬，但只要小于300ms，也不足以使CO充電。從而有效保護SCB不激發/亞點火。

2.在系統加電但未發點火命令時，M1關斷，M2導通，CO已充電完成。此時SCB不管感受到正向ESD/EMI，還是負向ESD/EMI，均會通過導通的M2強泄放掉，如下圖5所示：

圖5

由于M2是一個導通電阻約60mΩ的管子，因而能承受約50A的非重復浪涌電流，因而能有效地保護1Ω/3Ω的SCB免受ESD/EMI影響。

封裝形式及引出端功能

3.1 采用F08-04B 紫瓷扁平封裝，封裝尺寸如圖 6所示。

圖 6 F08-04B封裝尺寸圖

3.2 引出端功能如下：

絕對最大額定值

電特性

除非另有規定外，VCC=15V，CO=68μF，SCB阻值為1Ω，TA=25℃

典型應用原理圖

圖7 HJJF003典型應用

應用注意事項：

a.為消除寄生電感對放電能量的損失，充/放電電容、橋塞應盡可能靠近器件排布、互連線盡可能短且粗;

b.為了防止快速放電GND噪聲對輸入信號的影響，在充/放電電容與橋塞公共點到電源地之間，應考慮0Ω電阻;

c. VCC端不用做電源旁路；

d.器件可重復做實驗，但是一定要留夠足夠的充電時間，確保Co完全充飽，否則會影響二次激發效果。

e.放電信號脈沖寬度一定要≥200μs，且上升沿要≤200ns，否則內部的P-MOS管兒瞬時導通特性會變差，進而影響激發效果。

f. SCB一般由高摻雜的多晶硅組成，其電阻率上升較為緩慢，且在達到約800K時，電阻率就開始下降。當有電流通過時，SCB中心區域會快速升溫，隨著負阻效應的作用，電阻值降低，電流的路徑集中于低阻區域，溫度進一步升高，這一作用使得高溫區域迅速融化。溫度繼續升高時中心區域開始汽化，大量熱量通過載流子擴散和熱輻射向四周發射。隨著電離的增強，電阻變小，最后形成一個較強的高溫等離子層，產生高溫等離子體輻射放電，從而引爆裝載的藥劑。

g. 根據電容放電能量公式E=（C×U2）÷2，若VCC較小時，Co應選用容值較大的電容，便于使橋塞在起爆時有充足能量進入負阻態。

典型應用數據

評估板

1.SCB激發單元

2.半導體激光器激發單元