自從小米發布了旗下第一款采用GaN技術的充電器，市場上便掀起了GaN“快充風”，目前國內市場上手機、筆記本、平板等電子產品的GaN快充產品的核心器件—GaN驅動IC，基本上都依賴進口，驪微電子推出NCP1342驅動氮化嫁國產替代芯片—PN8213，適用于65W氮化鎵充電器芯片方案。

NCP1342替代芯片PN8213特征

■ 內置高壓啟動電路

■ 供電電壓9~57V,適合寬輸出電壓應用

■ Valley Lock:技術提高效率改善系統噪聲

■ 最高工作頻率外部可設置

■ 空載待機功耗<55mW@230VAC

■ 優異全面的保護功能。

PN8213工作于準諧振模式的控制芯片，供電電壓9~57V，空載待機功耗<55mW@230VAC，通過DMG腳實現精確的谷底開通，最高工作頻率可通過FSET腳設置。當系統處于重載或中載下，芯片工作在Valley-Lock Mode;隨著負載減輕，芯片會進入PFM降低工作頻率；當系統處于極輕載下，芯片會進入Burst Mode以降低待機功耗。內部集成了電流模式控制器和高壓啟動模塊，專用于高性能的快速充電開關電源。

PN8213在驅動、芯片供電、電路等都做了進一步的優化，將驅動集成于芯片內，能夠直接供電給氮化鎵芯片，可兼容代換ON安森美NCP1342，針對快充應用，PN8213外圍電路更為簡單，并具有較大的成本及供貨優勢。憑借其高度集成的芯片和簡潔的電路，以及完整的解決方案，實現了65W氮化鎵充電器芯片的國產替代，更多PN8213 65w氮化鎵充電器芯片產品手冊及應用資料請向芯朋微代理商驪微電子申請。>>