MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 供應商 MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR怎么訂貨 MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR價格
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NOR Flash 并行 3.3V 1Gbit 128M/64M X 8bit/16bit 95ns 64-Pin LBGA T/R

MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR制造商： 美光
產品類別： 內存、 閃存

MT28EW01GABA1HPC-0SIT

該設備是一個異步、統一塊、并行的 NOR 閃存設備。READ、ERASE 和 PROGRAM 操作使用單個低電壓電源執行。上電后，設備默認為讀取陣列模式。主存儲器陣列被劃分為可以獨立擦除的統一塊，以便在清除舊數據的同時保留有效數據。PROGRAM 和ERASE 命令寫入存儲器的命令接口。片上編程/擦除控制器通過處理更新存儲器內容所需的所有特殊操作來簡化編程或擦除存儲器的過程。可以檢測到程序或擦除操作的結束，并且可以識別任何錯誤條件。控制設備所需的命令集符合 JEDEC 標準。CE#、OE#、和 WE# 控制設備的總線操作并實現與大多數微處理器的簡單連接，通常不需要額外的邏輯。該設備支持從陣列的所有塊進行異步隨機讀取和頁面讀取。它還具有一個內部程序緩沖區，可通過一個命令序列對 512 個字進行編程，從而提高吞吐量。一個 128 字的擴展內存塊與數組塊 0 的地址重疊。用戶可以編程這個額外的空間，然后保護它以永久保護內容。該設備還具有不同級別的硬件和軟件保護，以保護塊免受不必要的修改。它還具有一個內部程序緩沖區，可通過一個命令序列對 512 個字進行編程，從而提高吞吐量。一個 128 字的擴展內存塊與數組塊 0 的地址重疊。用戶可以編程這個額外的空間，然后保護它以永久保護內容。該設備還具有不同級別的硬件和軟件保護，以保護塊免受不必要的修改。它還具有一個內部程序緩沖區，可通過一個命令序列對 512 個字進行編程，從而提高吞吐量。一個 128 字的擴展內存塊與數組塊 0 的地址重疊。用戶可以編程這個額外的空間，然后保護它以永久保護內容。該設備還具有不同級別的硬件和軟件保護，以保護塊免受不必要的修改。

主要特點

• 單層單元 (SLC) 工藝技術
• 密度：1Gb
• 電源電壓
  • VCC = 2.7–3.6V（編程、擦除、讀取）
  • VCCQ = 1.65 - VCC（I/O 緩沖器）
• 異步隨機/頁面讀取
  • 頁大小：16 字或 32 字節
  • 頁訪問：20ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
  • 隨機存取：105ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
  • 隨機存取：110ns（VCCQ = 1.65-VCC）
• 緩沖區程序（512 字程序緩沖區）
  • 使用全緩沖程序時為 2.0 MB/s (TYP)
  • 使用加速緩沖程序 (VHH) 時為 2.5 MB/s (TYP)
• 字/字節程序：每字 25us (TYP)
• 塊擦除（128KB）：0.2s（典型值）
• 記憶組織
  • 統一塊：每個 128KB 或 64KW
  • x8/x16 數據總線
• 編程/擦除掛起和恢復功能
  • 在 PROGRAM SUSPEND 操作期間從另一個塊讀取
  • 在 ERASE SUSPEND 操作期間讀取或編程另一個塊
• 解鎖旁路、塊擦除、芯片擦除和寫入緩沖區功能