MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管和N溝道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工藝技術(shù)制造是100A、30VN溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管,可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特點(diǎn)
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V
■ 低柵極電荷
■ 低反向傳輸電容
■ 開關(guān)速度快
■ 提升了dv/dt能力
■ 100%雪崩測試
■ 無鉛管腳鍍層
■ 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
SVG032R4NL5N關(guān)鍵特性參數(shù)
SVG032R4NL5 100A、30VN溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用PDFN56封裝,具有100A、30V的電流、電壓,RDS(on) = 2.0mΩtyp) ,封裝、參數(shù)和PKC26BB基本一致,可兼容替代尼克森PKC26BB,廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。
驪微電子供應(yīng)30V 100A N溝道MOS管SVG032R4NL5產(chǎn)品以及配套服務(wù),提供樣品測試及技術(shù)支持,更多尼克森PKC26BB替代料30v 100a mos管SVG032R4NL5 參數(shù)及相關(guān)資料請向我們申請。>>
-
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
111文章
2787瀏覽量
76931
發(fā)布評論請先 登錄
探索CSD17307Q5A:30V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能
深度解析CSD17305Q5A:30V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能與應(yīng)用
探秘CSD17306Q5A:30V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能與應(yīng)用
CSD17303Q5:高效能30V N溝道NexFET?功率MOSFET解析
探索CSD17510Q5A:30V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能
深入解析CSD17505Q5A:一款高性能30V N溝道功率MOSFET
深入解析 CSD17527Q5A:30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
德州儀器CSD17555Q5A 30V N溝道NexFET?功率MOSFET深度解析
探索 CSD17551Q5A:30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 的卓越性能
合科泰TO-252封裝N溝道MOS管HKTD100N03的核心優(yōu)勢
ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管,重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿
圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
MOS管的工作原理:N溝道與P溝道的區(qū)別
CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
30V MOS管N溝道PKC26BB替代料SVG032R4NL5
評論