MOS管，電源設(shè)計，或驅(qū)動電路，不可避免地使用MOS管。MOS管有很多種，也有很多功能。當(dāng)然，使用電源或驅(qū)動器是使用它的開關(guān)。

無論是N型還是P型MOS管，其工作原理本質(zhì)都是一樣的。MOS管通過增加輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是一種壓力控制裝置。通過在柵極上增加電壓控制裝置的特性，不會產(chǎn)生基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)快于三極管。

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù)。MOS管制造商使用RDS（ON）參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗。RDS（ON）也是開關(guān)應(yīng)用中最重要的設(shè)備特性。RDS（ON）定義為一個相對靜態(tài)的參數(shù)，用于充分驅(qū)動?xùn)艠O（或驅(qū)動）電壓VGS和流通開關(guān)的電流。一直在導(dǎo)通的MOS管容易發(fā)熱。此外，結(jié)溫的緩慢升高也會導(dǎo)致RDS（ON）的增加。MO S管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，定義為MOS管包裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。R`JC最簡單的定義是結(jié)合管殼的熱阻抗。

mos管小電流發(fā)熱的原因：

1.電路設(shè)計的問題是讓MOS管在線工作，而不是在開關(guān)狀態(tài)下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓比電源高幾V，P-MOS就相反了。未完全打開，壓降過大，導(dǎo)致功耗大，等效DC阻抗大，壓降大，U*I大，損耗意味著加熱。這是設(shè)計電路中最禁忌的錯誤。

2.頻率過高，主要是因為有時過度追求體積，導(dǎo)致頻率增加，MOS管損耗增加，發(fā)熱增加。

3.散熱設(shè)計不足，電流過高，MOS管標(biāo)稱電流值一般需要良好的散熱。因此，ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱器。

4.MOS管選型錯誤，功率判斷錯誤，MOS管內(nèi)阻考慮不充分，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

那我們?nèi)绾稳ソ鉀Qmos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重的問題呢？一般的處理方式是：

1.做好MOS管的散熱設(shè)計，添加足夠的輔助散熱器。

2.貼上散熱膠。