目前，許多企業在SiC MOSFET的批量化制造生產方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。

通常，為了形成SiO?氧化膜，制造SiC MOSFET時通常會用到熱氧化工藝，而過高的溫度會導致“殘留碳”，從而會引發SiC/SiO?界面缺陷（比Si/SiO?多100倍），繼而導致溝道遷移率降低，甚至影響器件長期可靠性。

因此，業界正在探索各種技術來形成高質量SiO?氧化膜，目的是不產生或減少殘留碳。

近日，韓國企業EQ TechPlus宣布，他們開發了一種下一代氧化膜沉積設備，用于大規模生產SiC功率半導體，與采用傳統高溫熱氧化設備相比，該設備可以將SiC界面碳含量降低約50%。

據EQ TechPlus介紹，他們的設備的優點是可以在較低低溫下沉積氧化膜（500-750℃），而現有的其他設備通常需要1200-1300℃的高溫。

為此，該設備一方面可以減少用電量，另一方面還可以將殘留碳以一氧化碳和二氧化碳等氣體的形式排出，最大限度地減少由碳引起的界面缺陷。

據“行家說三代半”了解，EQ TechPlus采取了一種獨特的方法來解決碳化硅SiO?氧化膜沉積難題。

EQ TechPlus設備示意圖

EQ TechPlus采用的是一種混合模塊技術，結合了現有等離子體和熱處理設備的優點。他們的非等離子體熱處理不產生離子，因此不會出現離子降解或對氧化膜的損害，可以更好地形成均勻而穩定的氧化膜，還可以很容易地加裝到現有的單室設備上進行氧化處理。

除了碳化硅外，該公司的自由基氧化和原子層沉積（ALD）技術可以應用于硅基D-RAM、NAND閃存和系統半導體，以及氮化鎵基功率半導體等化合物半導體工藝。

EQ TechPlus自由基氧化工藝的核心裝置概念

該公司首席執行官Kim Yong-won說，"我們最近在與韓國功率半導體公司進行了MOSCAP（金屬氧化物半導體結構電容器）檢測測量和效果評估，結果顯示，我們的設備減少了界面缺陷，并改善薄膜性能。

除了MOSCAP測試外，他們還與其他功率半導體公司進行了MOSFET的性能驗證，這項評估預計將在明年上半年結束。

據介紹，該公司將于今年9月份獲得SEMI（半導體設備和材料協會）質量認證，并開始批量生產該設備。該公司計劃將其位于京畿道的安城工廠的規模擴大一倍以上，以全面生產下一代氧化物薄膜沉積設備。

Kim Yong-won透露，"去年，我們的300毫米晶圓和硅半導體的氧化膜沉積業務業務獲得了56.4億韓元（約3100萬人民幣）的銷售額，隨著新設備的供應，我們今年目標將實現100億韓元（約5600萬人民幣），預計2028年年銷售額達到3000億韓元（16.66億人民幣）。"