隨著新能源電動汽車技術越來越成熟，更多家庭選擇新能源電動汽車作為代步出行工具，作為新能源電動汽車配套設施的充電樁，普及率也越來越高。充電樁是國家新基建重點建設項目，是人口稠密區域住宅區、商務中心以及高速公路服務區的重要基礎設施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。

安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產品，通過優化器件結構設計，采用先進的工藝制造技術，進一步提高了產品性能，具有更優的雪崩耐量，提高了器件應用中的可靠性。同時，采用自主創新先進的多層外延技術，優化了器件開關特性，使其在系統應用中具有更好的表現，為系統設計提供更多選擇。

安森德SJ MOSFET優勢

效率高

較高的輕載、滿載效率，超低的導通內阻、Qg，有效的降低導通、開關損耗。

低溫升

較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長電源的使用壽命。

穩定性強

強大的 EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證，芯片的內部缺陷遠小于低成本的溝槽工藝產品，其高溫穩定性大大提高。

內阻低

超結MOS具有極低的內阻，在相同的芯片面積下，超結MOS芯片的內阻甚至只有傳統MOS的一半以上。

體積小

在同等電壓和電流要求下，超結MOS的芯片面積能做到比傳統MOS更小，可以封裝更小尺寸的產品。

行業市場應用

隨著新能源電動汽車的日益普及，作為國家新基建重要組成部分的充電樁，覆蓋范圍也越來越廣，不管是在居民區、商業區或是高速公路服務區，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領域的技術積累，研發出同類別性能優異的超級結MOSFET，具備更高性能、能效和更低損耗等特點，為電動汽車充電應用提供高能效創新的半導體方案。

此外，SJ MOSFET還廣泛應用于服務器電源、新能源汽車、光伏、逆變、儲能等領域。

審核編輯 黃宇