半導體激光器的優點：

1、體積小、重量輕：幾乎所有的半導體激光器其器件本身體積大小都在lmm3以下，非常小。即使包括必要的散熱片和電源裝置也能夠成為尺度非常小的小型系統。

2、可注入激勵：僅用幾伏的電壓注入毫安級的電流就能夠驅動。除電源裝置以外不需要其它的激勵設備和部件。電功率直接變換成光功率，能量效率高。

3、室溫下可連續振蕩：在室溫附近的溫度范圍內大多數半導體激光器能夠連續振蕩。

4、波長范圍寬：適當的選擇材料和合金比，在紅外和可見光很寬的波長范圍內能夠實現任意波長的激光器。

5、可直接調制：把信號重疊在驅動電流上，在直流到G赫茲范圍內，可以調制振蕩強度、頻率和相位。

6、相干性高：用單橫模的激光器可以得到空間上相干性高的輸出光。在分布反饋型(DFB)和分布布拉格反射型(DBR)激光器中能夠得到穩定的單縱模激射，得到時間上的高相干性。

7、能夠產生超短脈沖：采用增益開關和鎖模等方法，以簡單的系統結構能夠獲得從納秒到皮秒的超短脈沖。

8、可批量生產：由于是小型、層狀結構，可以用光刻和平面工藝技術制作，適宜于大量生產。

9、可靠性高：由于是單片狀，所以具有牢固的機械結構。

10、可單片集成化：能夠把同種半導體激光器集成在同一襯底上。

半導體激光器的缺點：

1、溫度特性差：半導體激光器工作特性與溫度有顯著的關系，環境溫度變化可以引起激射頻率、閾值電流、輸出光功率等變化。

2、容易產生噪聲：因為是利用高濃度的載流子，所以載流子的起伏會影響有源區的折射率;諧振器的長度短，還采用了低反射率的端面鏡子。所以激光振蕩容易受到外部回光的影響。

3、輸出光發散：輸出光由端面以放射形式發出成為發散光。要獲得平行光束必須要有外部透鏡。

OBIS LX/LS系列，相比于普通的半導體激光器，在波長穩定性、功率穩定性、光束質量上有明顯優勢。是高質量的光源，適合共聚焦顯微鏡、DNA測序、流式細胞儀，以及其它需求高品質光源的應用。

輸出波長：

375nm; 405nm; 413nm; 422nm; 445nm; 458nm; 473nm; 488nm; 505nm; 514nm; 520nm; 532nm; 552nm;561nm; 594nm; 637nm; 640nm; 647nm; 660nm; 685nm; 730nm; 752nm; 785nm; 808nm; 980nm。

特點：

>功率穩定，光束質量好

>體積小(70*40*38mm)，易于集成

>數字、模擬調制

產品系列：

1. OBIS LX系列，半導體激光器;

2. OBIS LS系列，光泵半導體激光器;

3. OBIS FP LX/LS， 帶光纖輸出。

上圖是OBIS LX系列的光斑;下圖是OBIS LS系列的光斑

審核編輯：湯梓紅