相位正交(I/Q)混頻器HMC524ALC3B概述
HMC524ALC3B緊湊型砷化鎵（GaAs）、單片微波集成電路(MMIC)，相位正交(I/Q)混頻器。符合RoHS標準的無鉛表面貼裝（SMT）陶瓷封裝。
能夠用作圖像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。并且該混頻器使用兩個標準的雙路平衡混頻器。使用兩個標準的雙平衡混頻器單元和一個90°的混合耦合器，該耦合器由砷化鎵金屬半導體場效應(yīng)晶體管（MESFET）制造。
效應(yīng)晶體管（MESFET）工藝制造。一個低頻正交混合器產(chǎn)生一個100MHz的中頻輸出。
混合式圖像拒絕混頻器和單邊雙工的一個更小的替代方案。拒絕混頻器和單邊帶上變頻器組件。該HMC524ALC3B消除了對線束的需要，使用表面貼裝制造技術(shù)。
HMC524ALC3B應(yīng)用
點對點無線電設(shè)備
點對多點無線電和VSAT
測試設(shè)備和傳感器
軍事終端用途
編輯：黃飛
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原文標題：HMC524ALC3B——相位正交(I/Q)混頻器
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