引言

在當今的器件中，最小結構的尺寸接近于需要從晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破壞脆弱設備的情況下，在工藝步驟之間去除納米顆粒的清洗過程的重要性正在不斷增長。兆波清洗可用于單晶片或批量晶片處理。單晶圓處理的主要優點是增加靈活性和縮短清洗時間。此外，通過單獨加工晶圓，可以顯著降低晶圓報廢的風險。在工業中典型的超電子清洗過程中，晶片在傳感器上隨機移動，以覆蓋整個聲場，從而實現均勻和更好的清洗。在某些情況下，聲場是通過電壓的時間變化來空間移動的。當其中一個傳感器失去其強度或晶片無法掃描整個聲場時，晶片上通常會看到“冷點”或無效清洗區域的發展。為了避免晶片的不均勻清洗和提高清洗效率，測量清洗槽中傳感器強度的變化是必要的。

實驗與討論

這種技術包括將晶片（或單個晶片）按順序浸泡在不同的浴液中包含的不同清洗溶液中。這種清洗方法允許晶圓片兩側的化學溶液均勻接觸。此外，利用該技術還可以很好地控制溶液溫度。在工業中使用的典型濕臺中，晶片盒浸在適當的清洗浴中，保持在期望的溫度下進行指定的工藝時間，然后在另一個罐中的去離子水中沖洗。如果需要，晶片可以再次浸入另一個化學浴中，然后可以重復該順序。為了減少由于晶圓片盒造成的污染，使用硅或碳化物載體來減少與晶圓片的接觸程度。手動濕臺正在取代自動濕臺，這將減少污染，并產生更好的結果。浸沒式清洗的示意圖如圖1所示。

圖1：晶片浸沒清洗示意圖

在熱泳機制中，晶片和刷之間采用溫度梯度，產生的流場和力與顆粒和晶片之間的粘附力方向相反的流場和力。圖2顯示了在刷洗過程中作用在顆粒上的力的示意圖。

圖2：電刷擦洗工藝示意圖

結論

晶片清洗實驗表明，通過使用不同離子強度的電解質溶液，可以顯著改善超電子場表面帶電粒子的去除。英思特公司使用氯化鉀作為電解質進行的研究表明，在所有超電子能量密度下，氯化鉀溶液中去除硅顆粒的比例要高得多。去除顆粒的臨界電解質濃度隨著換能器功率密度的降低而增加。溫度和pH等溶液變量對胺化二氧化硅顆粒的影響是顯著的。顆粒去除效率隨氯化鉀溶液溫度和功率密度的增加而提高。

江蘇英思特半導體科技有限公司主要從事濕法制程設備，晶圓清潔設備，RCA清洗機，KOH腐殖清洗機等設備的設計、生產和維護。

審核編輯 黃宇