引言

本文涉及一種用于制造半導體元件的滴氣室及利用其的滴氣工藝；晶片內側加載的腔室，安裝在艙內側，包括通過加熱晶片激活晶片上殘存雜質的加熱手段、通過將晶片上激活的雜質吸入真空以使晶片上激活的雜質排出外部的真空吸入部、以及通過向通過加熱手段加熱的艙提供氫氣以去除晶片上金屬氧化膜的氫氣供給部。

因此，本發明除除氣體工藝時存在于晶片上的水分等異物外，還去除晶片上多余的金屬氧化膜，從而在包括銅種子沉積工藝在內的金屬劈裂工藝之前，省略為去除金屬氧化膜的等離子膜蝕刻等其他工藝，從而增大半導體元件的收率。在滴氣工藝中，即使有leak引起的大氣進入，也能防止金屬氧化膜的形成，從而具有減少半導體元件不良率的效果。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

半導體元件的滴氣工藝

在用于制造半導體元件的滴氣室方面，晶片內側加載的腔室，安裝在上述艙內側；一種加熱手段，通過加熱所述晶片激活所述晶片上殘存的雜質，一個真空抽吸部，用于將所述艙內部的氣體抽吸至真空中，以使所述晶片上活化的雜質排出外部；包括通過向由上述加熱手段加熱的上述室提供氫氣來去除上述晶片上的金屬氧化膜的供氫部，所述艙，用于制造半導體元件的排氣艙，其特征是，在位于所述晶片下部的晶片舞臺上，形成將從所述氫氣供應部供應的氫氣分配供應到所述晶片的周圍而供應的分配供應路。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

在制造半導體元件的滴氣工藝方面，包括在滴氣室加載晶片的步驟，一種用于制造半導體元件的氣體工藝，該工藝包括通過在真空狀態下加熱所述氣體室而將所述晶片中殘存的異物排出外部的步驟，以及通過向所述加熱的氣體室提供氫氣而去除所述晶片上的金屬氧化膜的步驟。

圖2是圖示用于根據本發明的另一實施例制造半導體元件的滴氣室的結構圖；用于制造本<38>實施例所述半導體元件的滴氣室與前一實施例一樣，在室內的大海上置備用于支持通過出入口加載的晶片(W)的多個支撐銷，同時在室內側設置加熱手；通過真空吸入管將室內部的氣體吸入真空的真空吸入部和向室提供氫氣的氫氣供給部分別設置。根據溫度傳感器的溫度，控制部通過開關閥的控制來控制供氫部，該開關閥使供氫管開關。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

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審核編輯黃宇