隨著萬物智聯(lián)時代的到來，智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY，其工作溫度高達125°C，具有 1.7V 至 1.95V 的低電源電壓范圍和串行外設接口（SPI）。

這款FeRAM產(chǎn)品是先進汽車市場中需要低功耗操作電子元件（如ADAS）的電子控制單元的理想選擇。

MB85RS2MLY 8 針 DFN

應用示例（ADAS）

8引腳DFN和8引腳SOP封裝

FeRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，與EEPROM和閃存相比，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。FeRAM 已被對傳統(tǒng)非易失性存儲器的規(guī)格不滿意的客戶所采用。

自2017年以來，富士通一直提供64Kbit至2Mbit汽車級FeRAM產(chǎn)品，這些產(chǎn)品在3.3V或5V電源下工作溫度高達125°C。

然而，一些客戶要求FeRAM可以在低于1.8V的電壓下工作，如1.7V，特別是對于需要低功耗電子元件的高級汽車電子控制單元。我們很高興的告訴大家，2Mbit FeRAM產(chǎn)品MB85RS2MLY就可滿足這一要求。

MB85RS2MLY 在 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)保證 10 萬億次讀/寫循環(huán)次數(shù)。此特性對于某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應用程序是最佳的。例如，如果連續(xù) 10 年每天每 0.1 秒記錄一次數(shù)據(jù)，則寫入次數(shù)超過 30 億次。

此外，該產(chǎn)品的可靠性測試符合AEC-Q100 1級，這是稱為“汽車級”的產(chǎn)品的資格要求。因此，從數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性的角度來看，MB85RS2MLY保證可用于需要實時數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應用。

MB85RS2MLY采用行業(yè)標準的 8 引腳 SOP 封裝，可以輕松替換具有類似封裝的現(xiàn)有 EEPROM。此外，還提供尺寸為 5.0 x 6.0 x 0.9mm 的 8 引腳 DFN（雙扁平無引線）封裝。

富士通半導體存儲器解決方案有限公司將繼續(xù)提供存儲器產(chǎn)品和解決方案，以滿足市場和客戶的未來需求和要求。

MB85RS2MLY的主要規(guī)格

審核編輯：劉清