RX內(nèi)核的特性
RX內(nèi)核發(fā)展路線
增加附加值和系統(tǒng)復(fù)雜性的需求要求單片機具有更高的性能。同時,還要滿足節(jié)能和延長電池壽命的需求,因此功耗也要降低。RX內(nèi)核不斷改進來滿足這些需求。

RX產(chǎn)品家族特性:
https://www.renesas.com/products/microcontrollers-microprocessors/rx-32-bit-performance-efficiency-mcus/rx-features

◆ RX內(nèi)核比較

特性1:延續(xù)前代產(chǎn)品優(yōu)勢的獨創(chuàng)CPU
RX內(nèi)核兼具CISC和RISC的優(yōu)勢

特性2:RX CPU內(nèi)核具有業(yè)界領(lǐng)先的性能

* Cortex-M是Arm的標(biāo)稱值
CoreMark/MHz值 = 5.90
卓越的嵌入式系統(tǒng)性能和電源效率
RX內(nèi)核的特性
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內(nèi)部開發(fā)的CPU,可實現(xiàn)高效運行。
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五段超標(biāo)量架構(gòu)。
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針對電源效率和高性能進行了優(yōu)化。
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處理能力和代碼效率與RISC相當(dāng)。
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改進了中斷響應(yīng)和FPU/DSP指令。
特性3:流水線級配置
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哈佛架構(gòu)支持并行執(zhí)行取指令和數(shù)據(jù)訪問。
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五段流水線配置和亂序完成,執(zhí)行速度更快。(如果后面的指令與前面的指令之間沒有依賴關(guān)系,則允許不等待而直接執(zhí)行后面的指令。)
◆ 流水線級配置
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5級流水線,處理速度更快。
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通過對各類應(yīng)用軟件進行基準(zhǔn)測試,處理性能較早期產(chǎn)品提高了一倍以上。

存儲器訪問階段僅在訪問存儲器時使用。
亂序完成
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亂序完成可提高指令執(zhí)行的效率和速度。

RXv2內(nèi)核的特性
RXv2內(nèi)核:CPU框圖
進一步增強,同時仍與RXv1內(nèi)核兼容
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改進了流水線,可大幅增加每周期指令(IPC)。
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具有改進的片上閃存接口的高級提取單元,可減少因分支指令產(chǎn)生的懲罰而引發(fā)的重新取指令,并可減少閃存訪問次數(shù),可在降低功耗的同時提高CPU性能。
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改進了DSP和FPU功能的指令。
◆ RXv2 CPU配置框圖

特性1:流水線改進
◆ RXv2 CPU配置框圖

存儲器訪問階段僅在訪問存儲器時使用。
改進了流水線處理和浮點運算的并行執(zhí)行
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浮點運算在執(zhí)行階段和存取器訪問階段并行進行。
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整數(shù)運算指令和存儲器訪問或FPU指令可以同時執(zhí)行。
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有助于提高FPU執(zhí)行速度和CPU性能。
特性2:FPU和DSP功能增強
增強了FPU和DSP功能
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減少了現(xiàn)有指令的執(zhí)行周期計數(shù)并添加了新指令。
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具有專用緩沖區(qū)的累加器數(shù)量已從1個增加到2個,提高了DSP運算的效率。
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過濾操作的性能提高了四倍。



改進以紅色字體顯示
RXv3內(nèi)核的特性
作為RXv2內(nèi)核的后繼產(chǎn)品,RXv3內(nèi)核憑借新功能提高了性能,同時增加了雙精度FPU和寄存器組保存功能。借助這些改進,RXv3內(nèi)核在EEMBC CoreMark基準(zhǔn)測試中獲得的分?jǐn)?shù)為5.82 CoreMark/MHz,CPU性能水平在業(yè)界名列前茅。對于各種需要實時處理的應(yīng)用程序,RXv3內(nèi)核有助于實現(xiàn)極其快速和高效的操作。
特性1:寄存器組保存功能
專用存取器可提高中斷響應(yīng)能力
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提高了在CPU寄存器中保存/恢復(fù)數(shù)據(jù)的速度,改善了中斷響應(yīng)能力。
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“寄存器保存組”作為寄存器保存功能的專用存儲器提供。
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用于訪問寄存器保存組的專用指令(SAVE和RSTR)。
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寄存器保存組數(shù)量:16 (RX72T)*1

與傳統(tǒng)產(chǎn)品的比較(將數(shù)據(jù)保存到所有寄存器)

特性2:支持雙精度FPU
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首款搭載雙精度浮點處理器的RX產(chǎn)品家族CPU內(nèi)核。
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顯著提高了雙精度浮點運算的處理性能(最多提高到八倍)。
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原文標(biāo)題:RX產(chǎn)品家族介紹手冊 [3] RX內(nèi)核的特性
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