国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

第3篇 半導體概述(3)

tulin ? 2023-03-23 16:26 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導體集成電路(LSI和IC)模塊

模塊需求高漲的原因

在第3篇中,我們來談一談半導體集成電路(LSI和IC)模塊。通常,被稱為“模塊”的產品主要有兩種。一種是將半導體集成電路(LSI、IC)及其外圍元器件(主要是無源元件等)安裝在小型印刷電路板(PCB)上、樹脂殼體內或金屬殼體內,并使其具備特定功能的產品。另一種是將半導體集成電路(LSI、IC)的硅片(芯片)及其外圍元器件(主要是無源元件等)內置于樹脂密封件(模塑產品)中,并使其具備特定功能的產品。 之所以需要開發模塊,其主要背景是當提高應用產品性能的目標難以通過制造商一己之力實現時,就需要半導體制造商提高更好的功能設計,進一步推進功能設計等級。 ROHM的產品中包括83種模塊:18種SiC(碳化硅)功率模塊、22種智能功率模塊(IGBT即絕緣柵雙極晶體管等)、34種功率模塊(AC/DCDC/DC)和9種無線通信模塊。

這些模塊具有以下優勢和特點:

①內置外圍元器件(主要是無源元件等),減少了產品印刷電路板(PCB)上的元器件數量,因而有利于提高應用產品的可靠性,尤其是車載等應用。此外,不容易受產品印刷電路板(PCB)的底片(元器件布局和元器件之間的布線)的影響。

②可以內置制造工藝不同的多個芯片,比如可以實現模擬IC+數字IC、控制器IC+驅動器(單個半導體元件)等。

③已經完成功能設計,可以將其當作一個黑匣子來處理,有助于縮短應用產品的開發周期。

④已經完成外圍元器件(主要是無源元件等)的常數優化和布線布局優化,因此即使是所謂的“即裝即用”也可以獲得非常好的電氣特性(性能)。

特別是在電磁兼容性(EMC)方面,對于模塊來說,包括外圍元器件(主要是無源元件等)在內是作為一個功能產品進行電磁兼容性(EMC)評估和電磁兼容性(EMC)合標性判斷的,因此,可以安心且安全可靠地使用,這是模塊的一大特點。內置電磁干擾(EMI)的對策部件——由1個電感元件(L)和2個電容元件(C)組成的π型濾波器、以及電磁敏感性的對策部件——電容元件(C)等的產品,是當前世界的主流產品。模塊就是通過物理組裝最小單位的基本電子元器件,可以獲得可靠性、功能、便利性和性能等方面更多優勢的產品。市場對于具有這些優勢的模塊的需求呈增加趨勢,目前,我們正在推進能夠滿足應用產品需求(比如更高的性能、更小的尺寸和更出色的穩健性)的模塊開發。

感謝您閱讀本文。

審核編輯黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5452

    文章

    12572

    瀏覽量

    374542
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264114
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    面向能源互聯網的功率半導體變革:基本半導體ED3系列SiC MOSFET功率模塊

    面向能源互聯網的功率半導體變革:基本半導體ED3系列SiC MOSFET功率模塊(BMF540R12MZA3)技術與應用分析 1. 引言:功率半導體
    的頭像 發表于 12-26 19:25 ?101次閱讀
    面向能源互聯網的功率<b class='flag-5'>半導體</b>變革:基本<b class='flag-5'>半導體</b>ED<b class='flag-5'>3</b>系列SiC MOSFET功率模塊

    鎵未來 Gen3 平臺重磅發布|六大核心突破,助力功率半導體產業再度升級!

    在全球碳中和戰略深入推進的關鍵節點,第三代半導體正成為突破能源轉換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來科技有限公司Gen3技術平臺650/700V系列場效應晶體管(FET)近期正式宣布全面推廣上市!該系
    的頭像 發表于 11-14 11:42 ?613次閱讀
    鎵未來 Gen<b class='flag-5'>3</b> 平臺重磅發布|六大核心突破,助力功率<b class='flag-5'>半導體</b>產業再度升級!

    云鎵半導體發布 3kW 無橋圖騰柱 GaN PFC 評估板

    云鎵半導體云鎵半導體發布3kW無橋圖騰柱GaNPFC評估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術文檔將重點介紹基于云鎵
    的頭像 發表于 11-11 13:43 ?1158次閱讀
    云鎵<b class='flag-5'>半導體</b>發布 <b class='flag-5'>3</b>kW 無橋圖騰柱 GaN PFC 評估板

    是德科技Keysight B1500A 半導體器件參數分析儀/半導體表征系統主機

    一臺半導體參數分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導體參數分析儀是一款一體化器件表征分析儀,能夠測量 IV、CV、脈沖/動態 I-V 等參數。 主機和插入式模塊能夠表征大多數
    發表于 10-29 14:28

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基礎,將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術的一次重要演進,其目標不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導體
    的頭像 發表于 10-08 13:12 ?788次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>B<b class='flag-5'>3</b>M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    江蘇拓能半導體:以創新“芯”力量,驅動3C產業新變革

    。而在眾多半導體企業中,江蘇拓能半導體科技有限公司脫穎而出,成為行業內一顆耀眼的明星,以其卓越的創新能力和高品質的產品,為3C市場的發展注入了強大的動力。 江蘇拓能半導體科技有限公司自
    的頭像 發表于 08-18 13:48 ?676次閱讀

    現代集成電路半導體器件

    目錄 1章?半導體中的電子和空穴2章?電子和空穴的運動與復合 3章?器件制造技術 4章?
    發表于 07-12 16:18

    功率半導體器件——理論及應用

    本書較全面地講述了現有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性,有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯系起來。 書中內容由淺入深,從半導體的性質、基本的半導體
    發表于 07-11 14:49

    歐冶半導體完成B3輪融資

    近日,國內首家聚焦智能汽車第三代E/E架構的SoC芯片及解決方案商歐冶半導體宣布,已完成億元人民幣B3輪融資。本輪融資由光學龍頭企業舜宇光學科技旗下舜宇產業基金戰略領投,合肥高投、老股東太極華青佩誠
    的頭像 發表于 06-19 16:09 ?1249次閱讀

    恩智浦參加29屆世界半導體理事會會議

    此前,5月20-23日,29屆世界半導體理事會(WSC)會議在中國青島召開,來自全球40多家領先半導體企業的超過110位行業領袖齊聚一堂,共同探討如何在技術變革、地緣政治和氣候危機的背景下,持續
    的頭像 發表于 06-04 14:48 ?1663次閱讀

    電子束半導體圓筒聚焦電極

    電子束半導體圓筒聚焦電極 在傳統電子束聚焦中,需要通過調焦來確保電子束焦點在目標物體上。要確認是焦點的最小直徑位置非常困難,且難以測量。如果焦點是一條直線,就可以免去調焦過程,本文將介紹一種能把
    發表于 05-10 22:32

    全球半導體進出口(1-3月):日本設備出口增長14.1%,韓國集成電路出口增加1.6%

    和產業布局也發生了一些重要變化。 中國大陸半導體進出口情況 據集微咨詢統計,2025年1-3月,中國半導體器件、集成電路和半導體硅片進口額均同比有所上升,
    的頭像 發表于 05-08 17:34 ?989次閱讀

    最全最詳盡的半導體制造技術資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

    1章 半導體產業介紹 2章 半導體材料特性 3章 器件技術
    發表于 04-15 13:52

    燦芯半導體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

    燦芯半導體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協議兼容性,支持DDR
    的頭像 發表于 03-21 16:20 ?1181次閱讀

    下一代3D晶體管技術突破,半導體行業迎新曙光!

    新的晶體管技術。加州大學圣巴巴拉分校的研究人員在這一領域邁出了重要一步,他們利用二維(2D)半導體技術,成功研發出新型三維(3D)晶體管,為半導體技術的發展開啟了新的
    的頭像 發表于 03-20 15:30 ?1198次閱讀
    下一代<b class='flag-5'>3</b>D晶體管技術突破,<b class='flag-5'>半導體</b>行業迎新曙光!