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本應用筆記提供了DS2148/DS21348/DS21Q48/DS213Q48和DS21448的寄存器設置，用于配置發送器的脈沖幅度不同于數據資料中記錄的線路構建（LBO）模式。下表列出了寄存器設置，并定義了3.3V （DS21348、DS21Q348）和5V （DS2148、DS21Q48）器件的脈沖幅度。

表 1.DS21348、DS21Q348寄存器設置

工作電壓：3.3V （VSM 引腳有線低電平）適用器件：DS21348、DS21Q348 適用器件版本：A2、B1、C1 和 C2 （DS21Q348）工作模式：E1

L2 （CCR4.7）	L1 （CCR4.6）	L0 （CCR4.5）	應用	脈沖幅度的典型變化	回波損耗（分貝）	Rt（Ω）
0	1	0	75Ω 正常	比 LBO 設置 7 增強 0%	KMK	0
0	1	1	120Ω 正常	比 LBO 設置 8 增強 1%	KMK	0
1	1	0	120Ω 正常，高回波損耗	LBO 設置 8 的衰減為 5%	21	9.1
1	1	1	120Ω 正常，高回波損耗	LBO 設置 4 的衰減為 5%	21	10

N.M. = 沒有意義

表 2.DS2148、DS21Q48寄存器設置

工作電壓：5V （VSM 引腳有線高電平）適用器件：DS2148、DS21Q48 適用器件版本：A2、B1、C1 和 C2 （DS21Q48）

工作模式：E1

L2 （CCR4.7）	L1 （CCR4.6）	L0 （CCR4.5）	應用	脈沖幅度的典型變化	回波損耗（分貝）	Rt（Ω）
0	1	0	75Ω 正常	比 LBO 設置 10 增強 0%	KMK	0
0	1	1	120Ω 正常	比 LBO 設置 10 增強 1%	KMK	0
1	1	0	120Ω 正常，高回波損耗	LBO 設置 10 的衰減為 5%	21	22
1	1	1	120Ω 正常，高回波損耗	比 LBO 設置 10 增強 5%	21	33

除了這些設置之外，還可以通過設置測試寄存器2（地址14h）在以下設備中獲得額外的脈沖幅度，如表3所示。

表 3.其他脈沖幅度設置

操作模式	適用設備	適用的設備修訂版	測試2（地址 14H）寄存器設置	脈沖幅度的典型變化
E1	DS21348、DS21Q348	C1	D0	與 LBO 設置 38、0、1 和 2 相比增強 3%
E1	DS21348， DS21Q348， DS2148， DS21Q48	C1	E0	與 LBO 設置 19、0、1 和 2 相比增強 3%
T1/J1	DS21348、DS21Q348	C1	D0	與 LBO 設置 38、0、5 和 6 相比增強 7%
T1/J1	DS21348， DS21Q348， DS2148， DS21Q48	C1	E0	與 LBO 設置 19、0、5 和 6 相比增強 7%
E1	DS21448	答1	D0	與 LBO 設置 33、0、1 和 2 相比提高了 3%
T1/J1	DS21448	答1	D0	與 LBO 設置 33、0、5 和 6 相比增強 7%