一、三管MOS DRAM基本單元電路原理

如果需要讀出數據，首先需要給T4加上一個預充電信號，然后VDD給讀數據線充電，代表需要讀出的數據是“1”，進行讀出時，讀選擇線是高電平。此時，如果原來存儲在電容里面的數據是“0”，則電容為低電平，不帶電，那么T1并不會接通。因此此時存的數據是“0”，讀出的數據卻是“1”。//相反，如果存的數據是“1”，那么T1管就會接通，T1、T2導通接地，所以此時讀數據線為低電平，讀出的數據就是“0”，。這就是“讀出與原存信息相反”，因此需要在讀數據線輸出端加一個與門。

如果需要寫入數據，寫選擇線為高電平，T3管接通，寫數據線若是高電平，就會給Cg充電，寫入數據“1”，如果寫數據線是低電平，則Cg會通過T3管放電，存入的數據是“0”。這就是“寫入與輸入信息相同”。

二、單管MOS動態RAM基本單元電路原理

當行被選中時，字線就會通電。

讀出數據時：如果Cs存儲的是數據“1”，那么就會通過T給數據線放電，使數據線產生電流，如果存的是數據“0”，則數據線會給CS充電，那么此時數據線內部就不會有電流。

寫入數據時：數據線要傳輸的數據如果是“1”，則數據線里面會有電流，就會通過T給Cs充電，存入數據“1”，數據線如果要傳輸的數據是“0”，則數據線不帶電，Cs會立馬向外放電，放電后代表存儲的數據是“0”。