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開發(fā)一種短波中紅外高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器

光子芯片實(shí)驗(yàn)室 ? 來源:光子芯片實(shí)驗(yàn)室 ? 2023-02-02 10:11 ? 次閱讀
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近日,天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院的程振洲教授和劉鐵根教授課題組,以及深圳大學(xué)的王佳琦助理教授、香港中文大學(xué)的曾漢奇教授合作研究開發(fā)了一種短波中紅外高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器,成果以“Relaxed-tolerance subwavelength grating coupler”為題,2023年1月29日發(fā)表在《Optics & Laser Technology》期刊上。

短波中紅外光子學(xué)在光通信、光測(cè)距和光傳感等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。首先,隨著數(shù)字化產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,通信網(wǎng)絡(luò)中的數(shù)據(jù)量持續(xù)增長(zhǎng),光通信帶寬正逐漸逼近1.55微米波段光纖數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦碚摌O限,2微米波段光通信是一個(gè)熱門的研究方向;其次,2-2.5微米波段幾乎不與水汽分子在1.7-2.0微米和2.4-3.3微米波長(zhǎng)的吸收光譜區(qū)重疊,為自由空間光通信和激光雷達(dá)應(yīng)用提供了低損耗的大氣窗口;并且,2-2.5微米波長(zhǎng)的光子能量對(duì)應(yīng)于氣體分子的本征振動(dòng)能級(jí)躍遷,為開發(fā)用于環(huán)境檢測(cè)、工業(yè)安全的光學(xué)氣體傳感器帶來了巨大的機(jī)遇。

另一方面,由于硅和二氧化硅材料對(duì)短波中紅外光的吸收較弱,用于開發(fā)的傳統(tǒng)光通信硅基光子器件的多項(xiàng)目晶圓(Multi-Project Wafer, MPW)工藝,可以方便的轉(zhuǎn)移到短波中紅外波段,用于低成本的開發(fā)高質(zhì)量、高密度
基光子集成回路。其中,光柵耦合器是光子集成回路中的關(guān)鍵器件之一。過去的研究表明,在短波中紅外波段,可以基于MPW工藝開發(fā)亞波長(zhǎng)光柵結(jié)構(gòu),提高能量耦合效率。然而,亞波長(zhǎng)光柵耦合器對(duì)器件的制造誤差比較敏感。因此,開發(fā)與MPW工藝兼容的、高容差的、亞波長(zhǎng)光柵耦合器件是一個(gè)有意義的研究課題。

在本項(xiàng)工作中,研究者們研發(fā)了一種高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器(Relaxed-Tolerance Subwavelength Grating Coupler, RTSWG),分析了亞波長(zhǎng)光柵耦合器的加工制作可重復(fù)性。如圖1a所示,所研發(fā)的耦合器件設(shè)計(jì)在220 nm頂層硅的硅-絕緣體晶圓上,由周期性排列的孔狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成。

在X方向上,每個(gè)光柵周期內(nèi)具有兩個(gè)亞波長(zhǎng)孔結(jié)構(gòu),用以克服傳統(tǒng)亞波長(zhǎng)光柵耦合器對(duì)制造誤差引起的折射率變化的敏感性問題。同時(shí),雙孔亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)也可以更加靈活的裁剪光柵耦合器的有效折射,優(yōu)化光柵耦合器的耦合效率。圖1b和1c比較了所設(shè)計(jì)的高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器和普通亞波長(zhǎng)光柵耦合器性能對(duì)加工制作誤差的容忍度。理論結(jié)果顯示,高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器件在中心波長(zhǎng)飄移和相對(duì)耦合效率等方面均具有一定的提升。

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圖1.短波中紅外高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器示意圖與仿真結(jié)果。(a)高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器的示意圖;(b)中心波長(zhǎng)偏移隨y方向上孔大小變化的曲線。(c)相對(duì)耦合效率隨y方向上孔大小變化的曲線。

高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器和普通亞波長(zhǎng)光柵耦合器的實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果如圖2所示。圖2a為高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器的實(shí)驗(yàn)測(cè)量與三維時(shí)域有限差分(Three Dimensional Finite-Difference Time-Domain method, 3D FDTD)的數(shù)值仿真結(jié)果。結(jié)果可知,高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器在中心波長(zhǎng)2038 nm處具有-6.2 dB的耦合效率以及約30 nm的1 dB耦合帶寬。

圖2b顯示了普通亞波長(zhǎng)光柵耦合器在中心波長(zhǎng)2038 nm處具有-8.7 dB的耦合效率以及約40 nm的1 dB耦合帶寬。與普通亞波長(zhǎng)光柵耦合器相比,高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器的性能具有一定的提升,并具有更好的加工可重復(fù)性。

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圖2.高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器和普通亞波長(zhǎng)光柵耦合器在短波中紅外的實(shí)驗(yàn)測(cè)量和3D FDTD數(shù)值仿真結(jié)果。(a)高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器。(b)普通亞波長(zhǎng)光柵耦合器。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:高容差亞波長(zhǎng)光柵耦合器

文章出處:【微信號(hào):光子芯片實(shí)驗(yàn)室,微信公眾號(hào):光子芯片實(shí)驗(yàn)室】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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