導彈、飛機和坦克等武器的紅外輻射波長主要集中在中紅外波段，因此定向紅外干擾系統干擾源通常采用中紅外激光。高質量中紅外激光源是定向紅外干擾系統中的核心組件，與系統的作戰效能密切相關。當前科研領域獲取中紅外激光源的技術雖然很多，但從定向紅外干擾系統的發展歷程看，主要采用的是非線性頻率變換和量子級聯技術。其中基于非線性系數、抗損傷閾值和轉換效率都比較高的磷鍺鋅（ZGP）晶體的光參量振蕩器（OPO），輸出的信號光與閑頻光都位于3 ~ 5μm波段，能獲得大功率中紅外激光輸出，并且光束質量可以進行巧妙優化，綜合性價比高，完美契合定向紅外干擾源的技術需求，被廣泛采用。

據麥姆斯咨詢報道，近期，電子信息系統復雜電磁環境效應國家重點實驗室趙志剛研究團隊在《激光與紅外》期刊上發表了以“定向紅外干擾系統中磷鍺鋅激光源的最新進展”為主題的綜述文章。趙志剛工程師主要從事固體激光技術的研究工作。

該文章主要介紹了定向紅外干擾系統中基于磷鍺鋅晶體的激光源的晶體特性、生長工藝、常用腔型和抽運源技術，詳述了磷鍺鋅激光源的最新研究和應用進展，分析了制約磷鍺鋅激光源發展的技術瓶頸，并對磷鍺鋅激光源在定向紅外干擾系統中的應用前景進行了展望。

ZGP激光源概述

ZGP晶體特性

磷鍺鋅（ZnGeP2）單晶體是綜合性能非常優異的非線性光學材料，典型的黃銅礦結構，四方晶系。晶體的透光波段為0.74 ~ 12μm，可用于生成中波和長波紅外激光。表1所列晶體都可以實現中紅外激光輸出，但受限于非線性系數、熱導率或損傷閾值，大部分晶體轉換效率低、容易造成晶體自身或膜層損傷，并不適合高功率、大能量中紅外激光生成。基于準相位匹配技術的PPMgLN晶體制備工藝成熟、大尺寸生長技術獲得較大突破，在中紅外激光生成方面獲得了快速發展。但PPMgLN晶體的非線性系數和損傷閾值與ZGP相比，仍有不小差距，并且PPMgLN-OPO輸出的信號光位于近紅外波段，泵浦光利用率偏低。綜合來看，ZGP晶體的非線性系數、損傷閾值和熱導率都很高，非常符合高功率中紅外激光生成的晶體需求。

生長工藝

ZGP晶體在中遠紅外激光生成方面具有獨特優勢，特別是在軍事領域應用前景廣闊，受到各國高度重視。我國對于ZGP單晶體的研究開始于上世紀末，主要研究機構有山東大學、四川大學、哈爾濱工業大學、安徽光學精密機械研究所和中國工程物理研究院化工材料研究所等，同樣也都取得了不錯的研究成果。ZGP單晶的生長先后出現了水平溫度梯度冷凝（HGF）法、高壓氣相（HPVT）法、液封提拉（LEC）法和VB法四種技術。相對而言，HGF法和VB法工藝成熟，都能生長出品質優異的大尺寸單晶體，被廣泛采用。

抽運源

ZGP晶體在近紅外1 ~ 2μm處由于本征點缺陷引起光吸收和光散射，使晶體在近紅外區透過率很低，因此，抽運源必須選擇2μm以上的高功率或大能量激光作為抽運源，并且抽運光波長不同，輸出的紅外激光波長差異較大。當前產生2μm激光的主要技術途徑有：KTPOPO技術、倍頻技術、單摻Tm3+、Ho3+離子的光纖激光器和固體激光器。但纖激光器直接泵浦ZGP-OPO的技術方案，結構簡單緊湊易維護，可靠性高，更符合工程應用需求。隨著中紅外光纖材料及相關激光器的發展，該方案將成為中紅外OPO技術的重要發展方向。

諧振器構型

ZGP-OPO常見的腔型有直線腔和環型腔兩種。直線腔結構緊湊、易于小型化、調節方便、閾值低、峰值功率密度高，但是一般為單程抽運，轉換效率相對較低，并且存在輸入鏡對抽運光的反饋效應，通常用于抽運功率較低的場景。V型三鏡和環形四鏡是典型的環形腔結構，除此之外還有RISTRA和FIRE型環形腔，都各具特色。總的來看，環形腔可以實現雙程抽運，能充分利用晶體長度，結構的建立時間更短、熱效應更小。

研究現狀

自1991年P. A. Budni等人首次實現紅外波段光學參量振蕩激光輸出后，伴隨著材料技術的發展，多種抽運源技術和OPO腔型的試驗探索以及晶體生長工藝的提高，基于ZGP晶體獲得中紅外激光輸出也獲得了快速發展，輸出功率在2014年超過10W，斜效率在2016年達到80.9%，技術成熟度不斷提高，工程應用日趨廣泛。從近三年的研究現狀看，學者在追求高輸出功率或高能量之外，基于應用的考慮，還重點兼顧了光束質量的改善。

2018年，Zhao等人采用MOPA結構獲得了大功率的ZGP-OPO抽運源。該項研究在中紅外激光輸出功率方面，獲得了超過百瓦的突破，但光束質量出現了明顯的劣化，工程應用中需要對光束進行整形。

2019年，錢傳鵬等人采用ZGP-OPO + ZGP-OPA（6mm × 6mm × 30mm）的結構實現了大功率中紅外激光輸出。該項研究通過透鏡補償技術實現種子光光束質量優化，然后注入OPA實現功率提升，使得輸出功率和光束質量都比較理想。雖然結構相對復雜，但整體效果非常好，具備較強的工程參考與應用價值。

2020年，Marcin Piotrowski等人采用MOPA結構的調Q Ho∶LLF激光器作為ZGP-OPO的抽運源。該項研究采用巧妙的腔型結構，對抽運光功率與中紅外激光的M2的關系進行了研究，為熱效應管理和進一步提高輸出功率提供了理論參考。2020年，Liu等人采用OPO + OPA的方式對激光功率提升進行了研究。該項研究與2019年錢傳鵬等人的成果類似，再次驗證了OPO + OPA結構在提高輸出功率和光束質量方面的優勢。

2021年，Liu團隊對Ho∶YAG抽運源和ZGP-OPO/OPA采用兩級MOPA結構的巧妙設計，Ho∶YAG抽運源最高功率達到332W，在290W功率注入ZGP-OPO/OPA系統時，獲得了161W的中紅外激光輸出，這是目前基于ZGP晶體產生的最大功率。

從最新的研究成果看，抽運源 + OPO結構直接輸出中紅外激光的設計結構簡單，調節方便，穩定性高，但受限于晶體和鍍膜的損傷風險，輸出功率較低，適合于中小功率應用需求；采用MOPA結構獲得高功率抽運源和使用OPO + OPA結構獲得高功率中紅外激光輸出的混合設計，在獲得高輸出功率和高光束質量中紅外激光方面更具優勢，但結構相對復雜，穩定性有待進一步提高，具體應用應當結合實際進行綜合選擇。

技術瓶頸

基于ZGP晶體的激光源作為定向紅外干擾系統的核心部件，要實現輸出功率的更大突破，當前的主要技術瓶頸是晶體生長工藝、抽運源技術、鍍膜和關鍵器件。

晶體生長

雖然HGF法和VB法都可以成功生長出大尺寸晶體，但是距離理想狀態還有很大差距。本質原因是ZGP晶體中的3種元素熔點差異大，Zn和P在高溫條件下容易揮發脫離熔體，造成晶體化學計量比出現偏離，在生長過程中還會出現中間產物引起晶體缺陷，影響透光率。此外，晶體的各向異性熱膨脹會誘發孿晶和出現裂紋。因此，對3種元素的計量比和生長過程中的溫度實現精確控制是未來必須攻克的難題。

抽運源

直接抽運Ho3+摻雜晶體獲取高功率2μm激光源，晶體自身和鍍膜承受巨大的損傷風險，而且光束質量很差，暫時不適合高功率抽運源應用實際。MOPA結構可以獲得相對高的抽運功率，并且能夠保持較好的光束質量，但結構非常復雜，調節不便，集成度很低。光纖激光器的獨特優勢有助于抽運源整體性能的提升，雖然目前距離理想狀態還有較大差距，但卻代表了抽運源技術未來的發展方向，需要持續進行研究與探索。

鍍膜和關鍵器件

有學者在進行ZGP-OPO研究時，出現高功率下晶體膜層的損傷現象，因此紅外波段鍍膜工藝對基于ZGP晶體的激光源的功率提升和穩定性也有重要影響。考慮到晶體鍵合與低濃度摻雜技術在Er3+摻雜晶體中的成功應用，在Ho3+摻雜晶體中也可以進行嘗試。此外，用于承受高功率的短波紅外及中波紅外波段的隔離器、偏振片和波片等關鍵器件也和系統最終的輸出功率密切相關，需要同步發展。

展望

在定向紅外干擾系統中，基于ZGP晶體的激光源優勢明顯，是當前的主流。隨著晶體生長工藝的改進，抽運源的拓展，以及紅外鍍膜工藝與外圍相關器件技術的提升，未來發展前景會非常好。但不可否認的是，各國競相加大對量子級聯技術的研發，高質量量子級聯激光器（QCL）的成熟化產品廣泛應用必定指日可待。因此，體積小、重量輕、集成度高的QCL必然會在針對性和適用性要求更高的車載或小型無人機搭載的定向紅外干擾系統中占據一席之地。然而尺有所短，寸有所長。不同的激光源完美契合載體，充分發揮自身優勢，才能展現最佳的應用效能。因此，各種激光技術的突破，必然會大幅提升定向紅外干擾系統的作戰效能，同時也將牽引著中紅外激光技術在未來獲得更好的發展。

論文信息：

DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2022.10.002

審核編輯 ：李倩