2022年行家說全球第三代半導體產業發展高峰論壇，暨2022行家極光獎（2022 Hangjia Aurora Award）頒獎晚宴在深圳順利舉辦。Nexperia（安世半導體）突出重圍，將「GaN產業推動先鋒」與「中國GaN 功率器件十強」兩項大獎收入囊中，展現了作為基礎半導體領域全球領導者的強大實力。Nexperia（安世半導體）MOSFET 業務集團大中華區總監李東岳出席了晚宴并代表了安世半導體領獎。

在全球“雙碳”戰略的推動下，整個能源系統都在向“清潔可再生”的新能源轉型，而新能源汽車、“光儲充”、數據中心等環節成為了實現“碳中和”的重要抓手。第三代半導體技術氮化鎵憑借高效率、高密度、小尺寸、低總成本等優勢，成為了這場綠色能源革命的關鍵技術支撐，已經被各個應用領域廣泛采用，整個產業開始駛入快車道。

行家說作為第三代半導體產業領先的媒體與產業研究機構代表，設立了“行家極光獎”，旨在重點表彰供應鏈的優秀企業、做出重要應用表率的企業以及具有技術突破或拓寬應用邊界的優秀產品，為行業樹立標桿。經過數月的緊張評選，Nexperia（安世半導體）獲得了業界認可，在眾多參選企業中脫穎而出，榮獲大獎。

獎項介紹

GaN產業推動先鋒獎

獲得本年度“氮化鎵產業推動先鋒”獎項的企業長期深耕氮化鎵技術，在行業里擁有廣泛的影響力，并且長期活躍于各個應用市場。經過多年快速發展，他們在氮化鎵領域享譽盛名，而且市場占有率保持領先，在氮化鎵的技術水平、質量水平提升等方面具有示范效應，為推動全球氮化鎵產業發展作出了重要貢獻。

中國GaN 功率器件十強

該獎項主要表彰本年度碳化硅/氮化鎵供應鏈中快速崛起的優秀企業，他們實現了國產第三代半導體材料、器件、模塊和裝備等環節技術的突圍，并且在全球化道路上邁出堅實的步伐，提升中國第三代半導體的全球影響力。獲得十強榜單獎項的企業在品牌影響力、市場占有率、創新能力和未來的發展潛力等綜合實力較為突出。

安世半導體一直投資和研發自有氮化鎵工藝技術。通過逐年的經驗積累和技術深入，掌握未來如何以最優方式運用這項技術。目前遍布全球的自有化生產基地可以提供真正車規級 AEC-Q101 認證的產品。新一代的安世半導體氮化鎵（HEMTs），提供業界領先的低導通電阻，更高的開關穩定性，可顯著提升動態性能。

安世半導體不到三年就推出三代 650 V 高功率氮化鎵場效應晶體管（GaN FET），提供從 2 kW 到 250 kW的 GaN 應用方案并推向更高的功率水平。此外，安世持續改進主力產品—— MOSFET，對于客戶而言使用高效的功率半導體比以往任何時候都重要，安世半導體的產品將為節能降耗做出更多貢獻，推動早日實現“碳中和”的目標。

審核編輯：湯梓紅