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?東南大學《AFM》:缺陷氮化硼誘導LiBH4亞表面鋰離子遷移!

鴻之微 ? 來源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-12-21 14:37 ? 次閱讀
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鋰離子電池中有機液體電解質的安全問題令人關注,開發高安全性、高能量密度的固體電解質越來越受到人們的重視。氫化物電解質具有高的電化學穩定性和陽極兼容性,可以充分緩解安全焦慮。然而,室溫下呈現的低離子電導率仍然有待進一步提升。

來自東南大學的學者采用h-BN缺陷誘導(BH4)-四面體變形的策略來提高LiBH4/BN復合電解質的室溫離子電導率。理論計算表明,(BH4)-四面體的體積膨脹了14%。這種四面體變形削弱了LiBH4中的Li-H相互作用力,從而促進了Li離子的遷移。LiBH4/BN復合材料能夠在40℃下提供1.15×10-4S cm-1的鋰離子電導率,鋰離子遷移數為97%。在室溫下的電子電導率極低,為4.59×10-10S cm-l。LiBH4的亞表面提供了所有可能的離子擴散通道中最低的遷移阻礙,為鋰離子遷移提供了最佳道路。此外,LiBH4/BN電解質還具有優異的電化學穩定性和電極兼容性。所采用的外場誘導(不僅是缺陷)和配體變形(不僅是(BH4)-)策略也可以擴展到其他固體電解質。相關文章以“Defective Boron NitrideInducing the Lithium-ion Migration on the Sub-surface of LiBH4”標題發表在Advanced Functional Materials。

論文鏈接:

https://doi.org/10.1002/adfm.202205677

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圖1 LiBH4/d-BN復合材料合成示意圖。首先通過機械研磨獲得缺陷氮化硼d-BN,然后與LiBH4進行球磨以獲得均勻的混合物。其后,將混合物在295℃和4MPa氫氣下加熱12h,合成了LiBH4/(d-BN)復合材料,LiBH4在高于熔融溫度的條件下優先在BN的低勢壘缺陷處成核,并表現出顯著的缺陷誘導效應。在LiBH4/h-BN和LiBH4/d-BN中,B-H(1)和B-H(2)鍵分別比純相LiBH4延長了5%和9%。LiBH4/d-BN中(BH4)-四面體的體積比純相LiBH4膨脹約14%。

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圖2:a)初始h-BN和b)缺陷BN的原子分辨率HAADF-STEM圖像,采用集成差分相位對比(iDPC)成像技術獲取;c、d)LiBH4/2(d-BN)的HRTEM圖像;d)圖為c的橙色選區中的放大分辨率視圖;e)LiBH4/2(d-BN)的FFT圖像。

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圖3:a)為LiBH4/d-BN復合材料的FT-IR光譜。在所制備的樣品中檢測到對應于LiBH4和h-BN的B-H和B-N振動帶,同時在918cm-1處識別出B-H振動的吸收峰。b)為LiBH4/BN復合材料的拉曼光譜。LiBH4在1300和2300 cm-1附近的譜帶大大減弱,是由于大量添加了BN,而在2300 cm-1附近的B–H的輪廓變化可能來自B-H鍵的變形。

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圖4:a-c)LiBH4、LiBH4/h-BN和LiBH4/d-BN的電子局域函數(ELF)模式。ELF值在[0,1]的數值區間內分配,等高線的密度反映了電子密度。d-g)LiBH4、LiBH4/h-BN和LiBH4/d-BN的總態密度和分態密度(TDO和PDO)圖。

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圖5:a)具有不同摩爾比的LiBH4/d-BN復合材料及純相LiBH4的溫度-電導率關系曲線;b)用阿侖尼烏斯方程計算的LiBH4/d-BN復合材料和LiBH4的活化能;c-d)LiBH4/2(d-BN)和LiBH4在303K下的7Li固態核磁共振譜。

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圖6: a)在LiBH4分別與h-BN、d-BN的兩相界面處,以及LiBH4/h-BN和LiBH4/d-BN中LiBH4的亞表面處,鋰離子的轉移勢壘。b)在LiBH4分別與h-BN、d-BN的兩相界面處,以及LiBH4/h-BN和LiBH4/d-BN中LiBH4的亞表面處,鋰離子的遷移路徑;c)比較了LiBH4、LiBH4/H-BN和LiBH4/d-BN中(BH4)-四面體的變形和Li-H之間相互作用力的變化。在LiBH4/d-BN中,B-H明顯伸長,導致(BH4)-四面體變形,H和Li之間的庫侖作用力顯著減弱。

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圖7 a)LiBH4/2(d-BN)在最初三個循環內的CV曲線;b)TiS2|LiBH4/2(d-BN)|Li全電池的恒電流充電/放電曲線;c)TiS2|LiBH4/2(d-BN)|Li全電池的循環放電容量和庫侖效率;d)LiBH4/2(d-BN)的對鋰循環充放電曲線,電流密度逐漸增加,到4.6mA cm-2時出現突變,獲得臨界電流密度;e)LiBH4/2(d-BN)的對稱鋰電池的恒電流循環曲線。

在本研究中,除了通過缺陷誘導提高了LiBH4室溫離子電導率外,還觀察到如下幾點現象:

1)d-BN是通過改變了LiBH4的電子分布,才導致(BH4)-膨脹和變形的;

2)(BH4)-四面體的變形削弱了Li+和(BH4)-之間的相互作用,從而減少了LiBH4對Li離子的束縛;

3)鋰離子主要在LiBH4的亞表面轉移,LiBH4亞表面的鋰離子遷移勢壘(低至0.29eV)是所有可能的擴散通道中最低的。

LiBH4/2(d-BN)復合材料還具有0至5V的寬電化學穩定性窗口(相對于Li/Li+),在70℃下具有優異的Li枝晶抑制能力,臨界電流密度為4.6mA cm-2,并且與電極材料具有高兼容性。

所提出的通過缺陷誘導變形來提高離子電導率的策略是可行的。該機制可以擴展到其他輸出場和其他固態電解質。這意味著通過這種策略,一方面,LiBH4中的(BH4)-四面體可以通過各種外場進行調節,以提高硼氫化物的離子電導率。另一方面,對于氧化物、硫化物和鹵化物的配體和間隙的調控也可通過外場感應實施。

審核編輯 :李倩

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原文標題:文章轉載丨?東南大學《AFM》:缺陷氮化硼誘導LiBH4亞表面鋰離子遷移!

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