作為比較成熟的第三代半導體材料，氮化鎵(GaN)功率器件基于其極快的開關速度，優秀的導通阻抗，以及極低的開關損耗，可以使Flyback拓撲的工作頻率提升到500kHz以上，在縮減電源體積的同時能夠提升電源的轉換效率；

因此，GaN在Flyback拓撲的快充產品上得到了廣泛的應用。

芯茂微第二代高頻高頻QR GaN控制器

LP884XXX系列產品，專門針對GaN的特性而進行了優化設計：

01

在QR模式下，工作頻率25kHz~500kHz，并具有谷底鎖定開通模式；

02

內置高壓啟動（HV）和X電容泄放功能；

03

極輕載時“軟跳頻”工作模式可實現低功耗、無噪音；

04

芯片內置輸出電流感應和計算單元，可以準確控制電源的輸出過流點；

05

豐富的保護功能，根據保護后動作的不同，分為：

多種版本?全方位適應各種應用場景

管腳封裝

型號LP8843DCD提供一個耐壓高達200V的VccH管腳，以及一個耐壓35V的VccL管腳；可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式，以節約高壓輸出時的功率消耗；亦可以只使用VccH管腳，以節約外部LDO器件或Vcc繞組及整流濾波電路的成本。

左圖：LP8843雙繞組：降低高壓輸出功耗，降低待機功耗

右圖：LP8843單繞組：無需外接LDO電路，節省成本

65W PD Demo

轉換效率可達94%以上

多重噪音抑制功能

精準谷底鎖定開通?軟跳頻?對稱抖頻

精準輸出過流點控制

芯片內置精確的輸出電流感應和計算單元

優異的待機功耗

審核編輯：劉清