電子發燒友網報道（文/梁浩斌）新能源汽車發展至今，800V高壓平臺已經成為一個確定性的推進方向。自2019年開始，保時捷在Taycan車型上首次應用800V平臺成為第一個吃螃蟹的車企后，隨著技術方案以及高耐壓功率器件產業的持續成熟，搭載800V高壓平臺的車型迎來了新一輪上市熱潮。

已發布的800V平臺車型盤點，國內車企推動力不足

去年我們可以看到，各大車企扎堆發布800V架構平臺，搭載800V平臺的車型也開始陸續發布并量產。

在電子發燒友的不完全統計中，截至今年11月，全球范圍內已經發布的800V平臺車型共有15款，其中有12款已經實現量產上市。其中，作為全球首款800V平臺電動汽車，保時捷近日宣布第十萬臺Taycan正式下線，同時Taycan也是目前累計銷量最高的800V平臺電動汽車。去年保時捷Taycan的銷量就突破了4萬輛，達到41296輛，是2020年20015輛的兩倍多。

另一方面，從全球范圍來看，目前在800V平臺電動汽車上，推進力度最大的車企除了保時捷外，就是現代起亞汽車集團。從上面的表格中可以看到，現代起亞汽車集團旗下的現代、起亞、捷尼賽思三個品牌共6款車型采用了800V架構，并且目前在歐美市場表現較好。

根據現代和起亞的財報，今年1到10月現代Ioniq5和起亞EV6是各自的主力銷售車型，銷量分別為77742臺和68029臺。

但國內車企方面，雖然800V平臺的布局較早，但推動力似乎不足。極狐阿爾法SHI版是極狐與華為以“華為insight”模式打造的車型，搭載了華為提供的750V高壓電氣平臺。這款車型早在2021年4月就已經官宣發布，但直到今年5月份才正式開始批量交付到車主手上。

而埃安VPlus的6C快充版的880V平臺電壓并不是全系標配，以定價來看，這個高壓平臺版本的車型顯然不是為了走量而推出的，目的大概是為了展示技術，產能不會太高。

目前來看，國內車企在800V平臺上有可能會起量的暫時只有小鵬G9和阿維塔11兩款，小鵬G9和阿維塔都全系列標配高壓平臺，這兩家車企也是相對而言比較熱衷于推動800V平臺的。

相比于韓國的車企，國內車企在800V平臺上車這件事上似乎顯得沒有那么激進。而在2021年下半年800V平臺引發了一輪熱潮之后，當時很多人預想中的2022年“800V平臺普及潮”如今卻沒有到來，產品最終落地的玩家依然不多。

800V平臺上車，SiC產能是關鍵

當然，還有很多車企的800V平臺車型還在規劃中，目前或許受限于SiC產品供應或研發進度等未能實現大規模量產。由于800V平臺相比以往的電動汽車系統電壓提升了近一倍，因此相關器件也需要用到更高耐壓的產品，SiC其高耐壓、高頻的特性就成為了高壓平臺的最佳選擇。包括小鵬G9、現代、起亞的多款車型都在其主驅上大量采用了SiC器件。

值得一提的是，搭載全球首款800V平臺的保時捷Taycan實際上在主驅逆變器上沒有采用SiC器件，而是較為傳統的硅基IGBT模塊，由日立AMS供應。根據此前外媒的拆解，Taycan上的功率模塊采用了特殊的設計，采用二合一封裝、改善絕緣設計和雙面冷卻等技術實現IGBT與800V系統的匹配。

不過客觀地說，在Tycan的開發階段，SiC器件其實還并不成熟，沒有在電動汽車上大規模應用的先例。當時僅有剛剛推出的特斯拉Model3在后橋主驅逆變器上采用了SiC器件，但以當時特斯拉的體量，難以作為參考。因此對保時捷來說貿然使用SiC產品到其首款電動車型上是具有較大風險的，結果就是，Taycan僅在OBC上部分采用了SiC模塊。

要知道，SiCMOSFET器件與其相同額定參數的IGBT相比，總損耗可減少38%-60%。除此之外，SiCMOSFET在輕載工況下，也就是城市工況下的損耗表現相比IGBT優勢會更加明顯，折算成續航里程可以增加5%-10%。

另一方面，從初中物理知識中我們也能了解到，在同樣功率下，電壓越大，電流越小；而在電阻相同的情況下，電流的平方和溫升成正比，所以高壓平臺能夠做到更大功率或降低熱管理壓力。

不過目前全球SiC產能都處于供不應求的狀態，以在旗下車型大規模采用SiC器件的特斯拉為例，目前特斯拉Model3中只在后電機逆變器模塊上用上SiCMOSFET，但據測算，如果車用功率器件全采用SiC，單車用量將達到0.5片6寸SiC晶圓。

那么如特斯拉旗下車型的車用功率器件全部采用SiC，以其去年93萬臺銷量的需求計算，一年的6寸SiC晶圓需求就高達46.5萬片。以如今全球SiC襯底產能來看甚至無法滿足一家車企的需求，更不用說SiC還有不少汽車以外的應用需求存在。

所以，800V上車目前還有三個方面問題擺在面前，一是還需要持續的大規模應用驗證SiC器件可靠性，二是需要穩定充足的SiC產能保證，三是成本的持續下降。

目前被應用在量產車型上的車規級SiCMOSFET主要由英飛凌、ST、羅姆三家供應，供不應求現象較為嚴重。但隨著近幾年來第三代半導體材料在全球范圍內掀起的擴產大潮，預計到2023年SiC襯底產能會有較為可觀的漲幅。

電子發燒友在與國內一家SiC功率器件廠商的交流中也得知，目前除了襯底的產能在持續增長之外，SiC外延片的缺陷率也在逐年提升，也就是說SiC晶圓的利用率也會逐步提高，因此SiC襯底的需求其實不能只以目前單車的SiC器件應用量來預估。

所以樂觀地預估，在未來兩年解決SiC產能后，800V平臺可能會首先在高端車型上陸續落地。隨著產業成熟以及成本持續下降，國內SiC器件公司也會迎來登陸電動汽車主驅的巨大市場機會。