因此，在這種條件下，反相降壓-升壓拓撲能在高效率和小尺寸之間達成較好的折衷效果。要實現這些優勢，必須充分了解高壓條件下反相降壓-升壓拓撲的工作原理。在深入研究這些細節之前，我們首先簡要回顧一下反相降壓-升壓拓撲。然后，比較反相降壓-升壓拓撲、降壓拓撲和升壓拓撲的關鍵電流路徑。

反相降壓-升壓拓撲屬于三種基本的非隔離開關拓撲。這些拓撲結構都包括一個控制晶體管（通常是一個MOSFET）、一個二極管（可能是肖特基二極管或有源二極管，即同步MOSFET），以及一個作為儲能元件的功率電感。這三個元件之間的共同連接稱為開關節點。功率電感相對于開關節點的位置決定拓撲結構。

如果線圈位于開關節點和輸出之間，將構成DC-DC降壓轉換器，我們在下文中將其簡稱為降壓轉換器。或者，如果線圈位于輸入和開關節點之間，將構成DC-DC升壓轉換器，簡稱為升壓轉換器。最后，如果線圈位于開關節點和地(GND)之間，則構成DC-DC反相降壓-升壓轉換器。

在每個開關周期，甚至在連續導通模式(CCM)下，所有三種拓撲包含的組件和PCB走線的電流會快速變化，導致圖1c、2c和3c突出顯示的噪聲轉移。盡可能設計較小的熱回路，以降低電路輻射的電磁干擾(EMI)。這里，需要提醒大家的是，熱回路并非一定是電流循環流動的物理回路。實際上，在圖1、圖2和圖3突出顯示的各個回路中，由紅色和藍色突出顯示的組件和線路構成熱回路，其電流急劇轉換并不會發生在相同方向。

對于圖3所示的CCM下運行的反相降壓-升壓轉換器，熱回路由C_INC、Q1和D1構成。與降壓和升壓拓撲中的熱回路相比，反相降壓-升壓拓撲的熱回路包含位于輸入和輸出端的組件。在這些組件中，當控制MOSFET開啟時，二極管（或者，如果使用同步MOSFET，則為體二極管）的反相恢復會生成最高的di/dt和EMI。由于需要全面的布局概念來考慮控制這兩個方面的輻射EMI，所以您肯定不希望通過低估在高輸入和/或輸出電壓條件下所需的反相降壓-升壓電感，通過過大的線圈電流紋波生成額外的輻射EMI。對于依賴自己所熟悉的升壓拓撲來確定反相降壓-升壓電路電感的工程師來說，他們會面臨這種風險，我們可以通過比較這兩種拓撲看清這一點。

升壓拓撲和反相降壓-升壓拓撲生成的絕對輸出電壓的幅度要高于輸入電壓。但是，這兩種拓撲之間存在差異，可以通過CCM中各自的占空比（在公式1和公式2中提供）來突出顯示。請注意，這些都是一階近似值，未考慮通過肖特基二極管和功率MOSFET時產生的壓降等影響。

如圖10所示，應用的峰值線圈電流接近15.4A。獲得這個值后，可以選擇電流額定值足夠高的功率電感。

反相降壓-升壓拓撲的熱回路包含位于輸入和輸出端的組件，所以其布局難度要高于降壓拓撲和升壓拓撲。雖然與升壓拓撲有些類似的地方，但在類似的應用條件下，反相降壓-升壓拓撲的電流紋波更高，這是因為線圈是其唯一的輸出來源（如果我們忽略輸出電容）。

對于具有高輸入和/或輸出電壓的反相降壓-升壓應用，線圈電流紋波可能更高。為了控制電流紋波，與升壓拓撲相比，反相降壓-升壓拓撲會使用更高的電感值。我們通過一個實例展示了如何根據應用條件來快速調節電感。